英国斯旺西大学集成半导体材料中心（CISM）的研究人员在英国建立了首个4英寸薄膜氧化镓（Ga₂O₃）能力。这是通过一台新启用的Aixtron紧密耦合淋浴头沉积系统实现的，该系统可以在4英寸衬底上精确生长高质量的晶体薄膜氧化镓。这些薄膜已经经过测试，显示出均匀且高质量的特性。
氧化物和硫族化合物MOCVD反应器中的Aixtron紧密耦合头，正在卸载4英寸蓝宝石晶片上的氧化镓薄膜。
这一能力位于CISM的新氧化物和硫族化合物MOCVD实验室，该实验室现已成为薄膜氧化镓研究和开发的国家中心，涉及功率电子、深紫外光电探测器和透明导电氧化物应用等领域。
氧化物和硫族化合物MOCVD中心的研究负责人丹·兰布（Dan Lamb）表示：“这一新设施是我们研究的一个重大进步，我对它为新型材料和器件开发带来的可能性感到非常兴奋。凭借这一先进设备，我们可以在推动现有工作边界的同时，也为与英国及更广泛地区的研究小组合作创造新的机会。”
英国国家外延设施的约翰·赫弗南（John Heffernan）表示，该设施支持英国大学的半导体研究，斯旺西大学的MOCVD能力现在可以通过直接合作供研究人员使用。研究人员还可以通过斯旺西与英国国家外延设施的“泵启动计划”合作获得可行性研究。这一举措确保学术界和工业界合作伙伴可以利用斯旺西在外延薄膜生长方面的专业知识，加速他们的研究和技术发展。
这一成就紧随Vishay最近宣布的2.5亿英镑投资，该投资得到了英国政府汽车转型基金的支持，旨在其纽波特工厂大幅扩大先进的宽带隙功率半导体组件制造。
Vishay纽波特的质量保证和外部事务总监萨姆·埃文斯（Sam Evans）表示：“这是我们在南威尔士半导体集群中宽带隙材料创新的一个重大进步，支持了Vishay最近宣布的2.5亿英镑碳化硅组件扩产计划等区域先进功率电子制造增长的努力。”
该沉积系统由英国工程和物理科学研究委员会（EPSRC - 战略设备计划）提供的270万英镑资助，这进一步强化了英国对推进半导体创新的承诺。
——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破
4月24日 湖北 武汉
论坛背景
半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电力电子、光电子、微波电子等领域大有可为。
本论坛聚焦材料协同创新与跨领域应用，深入探讨技术瓶颈，全面剖析技术趋势，寻找氮化镓及第四代半导体发展的方案。推动金刚石、GaN与氧化镓从实验室竞争走向场景化互补，加速“双碳”目标与AI算力革命的落地。
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论坛信息
联合主办：CSE组委会、DT新材料
大会主题：激活未来
论坛时间：2025年4月24日
论坛地点：武汉光谷科技会展中心
会议议题
金刚石、氮化镓、氧化镓晶体生长与加工
金刚石、氮化镓、氧化镓薄膜及其外延技术
金刚石、氮化镓、氧化镓功率器件、封装及测试
金刚石、氮化镓、氧化镓相关装备
金刚石、氮化镓、氧化镓产业与政策
2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会现场
DT新材料重磅亮相第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE），与CSE组委会联合打造宽禁带半导体材料分论坛，深度探讨宽禁带半导体前沿技术与产业化路径。期待与您携手迎接化合物半导体行业的全新机遇与挑战，让我们相约2025年4月23-25日·武汉光谷科技会展中心，共同见证盛会的精彩绽放！
展会期间，我们的媒体展位号是B221，诚邀业界同仁莅临交流，共话产业未来！
与此同时，DT新材料诚挚向您发出邀请——Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会
时间：2025年12月9-11日 | 地点：上海新国际博览中心
