河南省重点发展这10项金刚石项目!

DT半导体材料 2025-04-17 17:50
近日,河南省工业和信息化厅、河南省财政厅、河南省科学院联合关于发布《河南省重点新材料首批次应用示范指导目录(2025版)》(以下简称“目录”)的通告,目的在于加快河南省新材料示范应用推动新材料产业高质量发展。

目录中包含碳化硅、金刚石、石墨等碳材料,以下对相关内容做出摘录:

· 铝基碳化硅复合材料薄板
(1)厚度0.05mm至1.0mm;(2)屈服强度≥320MPa;(3)延伸率≥3%;(4)热导率≥120 W/(m·K)。

· 超精密加工用CBN成型磨削磨轮
(1)产品径向和端面跳动≤0.002mm;(2)成品轮廓精度≤0.005mm;(3)工件磨削表面粗糙度≤Ra0.4um;(4)加工工件轮精度一致性偏差≤0.005mm。

· 金刚石研磨垫
(1)去除率>50um/min;(2)粗糙度Ra<200nm;(3)划伤率<5%。

· 油气钻探用耐磨金刚石复合片
(1)耐磨性(V花岗岩/V复合片)≥900万;(2)抗冲击性能30J连续冲击累计冲击功≥900J;(3)极限耐热稳定≥950℃℃。

· 超细钨丝拉丝模用超细粒度聚品金刚石
(1)金刚石粒度≤1mm;(2)耗比≥10万,用于超细钨丝拉拔,寿命≥30万米。

· 油气钻探用抗腐蚀金刚石复合片
(1)抗冲击性≥800J;(2)PCD磨耗比≥100万;(3)腐蚀速率<0.0254mm/a。

· 深地油气钻采用聚品金刚石复合片

(1)磨耗比≥400x10⁴;(2)冲击韧性≥1500J;(3)热稳定性:≥800°C/15min。

· 大尺寸多晶金刚石光学片
(1)尺寸≥4英寸;(2)透过率>60%;(3)粗糙度Ra<5.0nm;(4)面形精度PV≤1/2 λ。

· 碳化硅单晶生长坩埚用高纯石墨
(1)密度>1.80g/cm³;(2)电阻率(uΩ·m):8-13;(3)热胀系(室温-1000℃℃):≤5.8;(4)灰分≤50ppm;(5)碳化硅长晶坩埚使用寿命≥5次;(6)碳化硅长晶厚度≥60mm。

· 多晶金刚石导热片
(1)直径≥4英寸;(2)磨耗比≥20万;(3)硬度:8000-10000kg/m²;(4)热膨胀系数:1.1mk;(5)热导率:≥1200w/m.k。

· 多晶金刚石热沉片
(1)尺寸:2-6英寸;(2)厚度:0.2-1mm;(3)热传导率(W/(m·K)):1200,1500,1800,2000;(4)热扩散系数(cm²/s):6.6,8.2,9.9,11.0;(5)热膨胀系数(RT-700℃):(10-6K-1):3.1962;(6)杨氏模量(GPa):1000-1100;(7)介电常数(1MHz):5.68;(8)绝缘耐压:11KV/mm。

· 等静压特种石墨
(1)密度:>1.8g/cm³;(2)抗压强度100mpa;(3)灰分<20ppm;(4)耐高温>3500℃;(5)比电阻:<8uΩm.

· 精密加工用整形金刚石微粉
(1)粒度分布径距≤0.6;(2)单个杂质元素含量≤10ppm;(3)圆度≥0.95。

· 立方氮化硼单品
(1)合成转化率≥60%;(2) 冲击强度(CBN80-100)>80%;(3)堆积密度≥1.83g/cm³。

· 碳化硅晶圆衬底精磨液
(1)粒度:D50=2.0um;(2)圆度:0.94-0.95;(3)电导率:40-90uS/cm;(4)粘度:210-400;(5)去除速率>19.00nm/min。

· 刻蚀金刚石微粉
(1)材料粒度:M0.5/1-M50/70;(2)比表面积:0.2-7m²/g;(3)抗冲击强度:0.5-0.86。


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2025第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会(CSE

——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破

424  湖北 武汉


论坛背景

半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料,凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大,具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性,为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能,在电力电子、光电子、微波电子等领域大有可为


本论坛聚焦材料协同创新与跨领域应用,深入探讨技术瓶颈,全面剖析技术趋势,寻找氮化镓及第代半导体发展的方案。推动金刚石、GaN与氧化镓从实验室竞争走向场景化互补,加速“双碳”目标与AI算力革命的落地。

扫码报名免费参会


论坛信息

联合主办:CSE组委会、DT新材料

大会主题:激活未来

论坛时间:2025年4月24日

论坛地点:武汉光谷科技会展中心


会议议题

金刚石、氮化镓、氧化镓晶体生长与加工

金刚石、氮化镓、氧化镓薄膜及其外延技术

金刚石、氮化镓、氧化镓功率器件、封装及测试

金刚石、氮化镓、氧化镓相关装备

金刚石、氮化镓、氧化镓产业与政策



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2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会现场



DT新材料重磅亮相第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会(CSE),与CSE组委会联合打宽禁带半导体材料分论坛,深度探讨宽禁带半导体前沿技术与产业化路径。期待与您携手迎接化合物半导体行业的全新机遇与挑战,让我们相约2025年4月23-25日·武汉光谷科技会展中心,共同见证盛会的精彩绽放!


展会期间,我们的媒体展位号是B221,诚邀业界同仁莅临交流,共话产业未来!


与此同时,DT新材料诚挚向您发出邀请——Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会
时间:2025年12月9-11日  |  地点:上海新国际博览中心



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DT半导体材料 聚焦于半导体材料行业的最新动态
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