2025上海慕尼黑电子展-完结篇

原创云深之无迹 2025-04-17 00:03 242浏览 0评论 0点赞

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2025 上海慕尼黑电子展-有些落寞，有些低迷

昨天有些朋友没有见到，今天全部都见到了。又细致的看了一些器件，尤其的无源的。

其它的好玩的，就日后的日后慢慢分享。

TDK 成功研发出世界首款用于4K智能眼镜的全彩激光控制设备，这个是补昨天 TDK 的东西。

通过使用铌酸锂薄膜，克服了传统可见光激光器的限制，实现了高速电压控制，成功完成了直接视网膜绘图的视频演示。

问了半天不知道后面的接口是什么样的，我感觉这个 TDK 的 AFE 不知道我在问什么。

这个是能量收集模块

石英的驱动器，可以实现纳米级别的位移

无源器件主要是看了保护和晶振：

TVS 瞬态抑制二极管，是Si材料基于扩散工艺制成的具有半导体特性的元器件，该类器件本身的电阻值根据加载在其两端的电压值改变而从兆欧级到欧姆级变化，阻值可在皮秒级时间内完成越变，利用该特性，TVS绝大多数并联在系统电路中防止过电压损坏后端其他元件，进而大幅度的提高系统EMS性能，可对Surge，EFT，ESD等电磁干扰起到有效的抑制作用。

ESD 又称为TVS ARRAY，是Si材料基于扩散工艺制成的具有半导体特性的元器件，该器件可视为TVS向小型化，集成化，低容化的一个发展，属于利用IC扩散工艺和封装工艺制成的小功率器件，专门针对多路、高速的信号线接口进行ESD的抑制。由于ESD放电上升沿1ns左右，传统的贴片压敏和聚合物器件响应较慢，所以导致残压过高，往往需要IC也具有较高的耐静电能力；而ESD器件则具有响应速度快，较低的箝位电压，可大大降低后端IC所承受的冲击，进而大幅度的提高系统EMS性能，可对信号类的ESD，EFT等电磁干扰起到有效的抑制作用

TSS 半导体放电管，是Si材料基于扩散工艺制成的具有半导体特性的元器件，类似PNPN结构的可控硅，该类器件本身的电阻值根据加载在其两端的电压值改变而从兆欧级到欧姆级变化，阻值可在纳秒级时间内完成越变。TSS绝大多数并联在信号系统电路中防止过电压损坏后端的IC，进而大幅度的提高系统EMS性能，可对Surge，EFT，ESD等电磁干扰起到有效的抑制作用。

GDT，全称陶瓷气体放电管，是管状陶瓷腔，金属电极结合，高温焊接工艺制成的具有稳定放电特性的放电间隙元件，该类器件本身的电阻值根据加载在其两端的电压值改变而从G欧级到欧姆级变化，阻值可在100纳秒左右完成跳变。利用该特性，GDT绝大多数并联在系统电路中防止过电压损坏后端其他元件，由于气体放电具有续流特性，所以极少单独使用在非电源线路，可对Surge等电磁干扰起到有效的抑制作用。广泛的应用于电话，DSL，程控交换机，网络交换机，开关电源对地保护，工控通讯，有线电视，汽车HID点火系统，防雷模组等产品中。