插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。
昨日，“行家说三代半”报道了慕尼黑电子展中近20家SiC企业的参展状况（点击查看），集中展示了碳化硅领域的前沿技术和创新产品。
今天，我们将继续深入观察第三代半导体企业的最新动态，为大家呈现他们如何通过技术创新推动行业进步，进一步释放SiC&GaN在新能源汽车、工业电源等领域的巨大潜力：
本次展会，英飞凌以“交通出行，绿色能源，赋能AI”三大主题为核心，带来一系列前沿技术与创新解决方案，为行业带来更多突破性可能。据了解，英飞凌的12英寸硅晶圆、8英寸碳化硅晶圆、12英寸氮化镓晶圆首次在华同台亮相：
英飞凌科技公司是一家全球领先的半导体公司，该公司业务涵盖汽车、工业和物联网等多个领域，致力于提供高能效、移动性和安全性的半导体和系统解决方案。此次展会，英诺赛科集中展示高性能氮化镓系列新产品，以及应用于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域的高效解决方案。 其中，产品包括：Bi-Directional VGaN™ 、双向导通Integrated Gate Drive SolidGaN™、集成驱动100V GaN (AI 数据中心）等；应用方案囊括手机及笔记本电脑 150W BUCK-BOOST、家电 300W 高压电机驱动、AI及48V架构 2kW降压电源方案、汽车领域8kW 16相 Buck、储能领域低边BMS方案、新能源 2kW 微逆 (1.5-stage)等创新方案。英诺赛科是第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。该公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，其氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。
本次展会，士兰微电子展示其覆盖白电、汽车、工业新能源、AI算力及机器人等领域的解决方案。重点展品包括空调/冰箱/洗衣机变频方案、车用SiC模块、光伏逆变器解决方案及服务器板级电源等创新产品。
此外，士兰微电子还集中展示四大核心领域解决方案：白电领域突出直流变频技术应用；汽车领域展示B3G SiC模块等车规级芯片；工业新能源主推微型逆变器与储能变流器方案；AI算力方向提供六轴IMU传感器及服务器电源方案。杭州士兰微电子股份有限公司是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，目前已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体（IDM）的企业之一，其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。
加入碳化硅大佬群，请加微信：hangjiashuo999本次展会扬杰科技携Mosfets、SiC、IGBT、整流器件等新产品亮相，全方位展示其在汽车电子、AI服务器，人形机器人、清洁能源等行业的深度应用。此外，现场还展示了一辆新能源汽车，直观呈现其车规级功率器件在实车的应用，覆盖BMS电池管理系统、OBC车载充电、EPS电动助力转向、汽车前灯、尾灯等关键领域。扬杰电子是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。产品线涵盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等，可为客户提供一揽子产品解决方案。方正微电子携碳化硅全场景解决方案亮相展会，覆盖新能源汽车、新兴应用及光储充等多个领域。
在新能源汽车领域，方正微电子展示了G1/G2/G3三代车规碳化硅晶圆、衬底、外延、裸die器件、模组，覆盖新能源汽车全系应用、包括主驱控制器、OBC充电机、DCDC转换器、空气悬挂、电动压缩机。具体涵盖G1 SiC MOS 1200V 系列、G2 SiC MOS 1200V 系列、G2 750V SiC MOS系列、G3 SiC MOS产品及G1 SiC功率模组 1200V。在光储充领域，展示了SiC MOS单管及模组，与SiC SBD解决方案。具体涵盖了SiC MOS 1200V EASY2B功率模组，SiC MOS 1200V 系列单管器件、SiC MOS 750V/650V系列单管器件等。
此外，方正微正式发布了第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品，性能达到国际头部领先水平。方正微电子第二代车规主驱SiC MOS在第一代的高可靠基础上，进一步提升性能，缩小Die size，提升FOM值，实现了在行业主流芯片面积需求条件下性能提升，可靠性3倍于行业通用认证要求：高导通电阻（13mΩ）、高击穿电压（>1500V）、高阈值电压（3V）、高可靠性（＞3000小时）以及可支持1000VDC电驱系统”等特点。
与此同时，方正微电子还展示了G1 Sic功率模组，1200V5mΩ EASY2B/1200V 8m9 TPAK/1200V 35m2 SMIT/1200V 60m2 SMIT/1200V 2mΩ HPD涵盖了车规及工规多种使用场景，目前还有G2系列产品正在开发中。方正微电子表示，2025年，方正微电子将实现车规SiC MOS大规模上乘用车主驱，从几万辆车到几十万辆车的跨越。
此次，国基南方在展会上全面呈现了覆盖650V至6500V电压域的国产化碳化硅全系产品矩阵，包括面向新能源汽车的1200V/750V车规级芯片、750V/1200V塑封模块与HPD模块、适配工业装备、光储充系统、智能电网及轨道交通领域的650V-6500V多电流规格芯片等产品。其中，重点展出的车规级塑封模块的电流承载能力达600-800A，杂散电感低至5nH，彰显了国产碳化硅技术的突破性进展。此外，光储充用SiC芯片和模块凭借高压高效率、高功率频率两大优势，吸引了众多参会人士的关注。此次爱仕特以“碳化硅4.0技术平台”为核心，携1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模块三大“战略新品”亮相展会。
据悉，爱仕特此次重磅推出的第四代碳化硅技术平台，以超高耐压、极低损耗、高效驱动兼容性为核心突破，具有以下亮点：一是全系产品支持15V/18V双电压驱动，无需更换现有系统电路，即可实现碳化硅升级，降低客户改造成本。二是优化芯片设计，进一步提升器件性能与可靠性，为高功率密度应用提供更强支持。三是1200V/1000A SiC功率模块采用高电流密度设计，支持-40℃至175℃的宽温域运行，可助力大功率系统实现轻量化与高效化。本次展会，清纯半导体集中展示覆盖超过车规等级的第二代3300V、2300V、1700V、1500V、 1200V、750V 电压平台SiC MOSFET，以及650V、1200V电压平台的SiC二极管，及全系列功率模块。据了解，清纯半导体SiC MOSFET最新技术已经对标国际主流水平，并保持1年1代的节奏快速迭代。他们在2024年实现第二代1200V SiC MOSFET技术平台批量交付基础上，持续拓展750V, 1200V, 1500V，1700V, 2300V, 3300V等电压平台，根据不同的市场及客户需求，陆续推出全系列产品。本次展会，泰科天润作为国内碳化硅功率器件制造与应用解决方案提供商，携带最新产品与应用解决方案亮相。具体来看，泰科天润此次展品包括6英寸碳化硅晶圆、碳化硅Mosfet、混合单管、半桥模块以及基于碳化硅2in1半桥模块的同步Buck变换器方案等产品。其中，碳化硅半桥模块具有高电压耐受力、快速开关速度、可提高功率密度等优势。
此次，国联万众携带碳化硅电力电子产品和氮化镓射频产品参展。展品包括：SiC芯片、器件、SiC模块、GaN射频芯片等。国联万众主营业务为第三代半导体芯片设计、生产与销售，以及第三代半导体封装、模块、科技服务等。主导产品氮化镓(GaN)射频功放芯片已得到国际主流通信公司大规模应用，累积出货2亿只。碳化硅产品采用6-8吋晶圆工艺，SBD和MOSFET电力电子芯片及模块技术已得到国内主流新能源汽车、充电桩企业大规模应用，累积出货5千万只。本次展会致能将带来700V、900V、1200V全系列GaN HEMT产品及快充、LED驱动电源、通信电源、储能、逆变器等各类GaN电源方案。
值得关注的是，致能的氮化镓功率器件覆盖了高低压产品线，650V/900V/1200V 覆盖了Rdson 16mΩ~1.7Ω范围，本征击穿已经达到1400V~2400V，具有极高的耐压以及可靠性封装类型包含DFN56、DFN88、TO252、TO220等等。
除了传统的水平结构氮化镓，致能拥有全球领先的硅基垂直氮化镓技术，目前已经在器件原型阶段。此外，致能量产的650V 35mR产品是目前国内唯一量产的常开型高可靠氮化镓器件，正在推进16mΩ器件研发进程。致能全球首发的1200V氮化镓功率器件实现了氮化镓超高压器件在电压方面的突破，未来将会布局1700V更高压高可靠性场景。
同时，致能自研了基于氮化镓器件的动态可靠性设备及软件，可以实时动态监控氮化镓器件的可靠性。配合致能自主开发的DHTOL设备，致能的器件已在完成高温CCM 5000小时的严苛测试。产品在许多高可靠性应用场景中展现出极强的竞争力。此次展会上，聚能创芯展示了650V系列氮化镓功率器件产品。其中650V系列氮化镓功率器件均采用小体积PQFN封装，产品具有极低的Qg、无反向恢复电荷、超快的开关速度，相比硅器件显著降低了开关损耗，适用于更高的工作频率，大幅提升应用模块的功率密度并降低系统成本。
与此同时，他们同时还展出45W及65W家居墙插和轨道插座方案、65W氮化镓超薄及高频PD快充方案、120W LED照明方案以及120W 适配器方案。聚能创芯主要从事第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售，专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。该公司通整合行业优势资源，构建GaN器件开发与应用生态系统，覆盖PD快充、智能家电、新能源汽车、光伏、5G通讯等关键领域，为国产化核心元器件的替代与创新提供强有力支持。此次，镓未来携来GaNFusion Power IC、调速GaN分立器件、Bi-Directional GaN等多款新产品亮相展会。展品包括：650V Bi-Directional GaN、调速GaN分立器件以及GaN Fusion Power IC系列产品。
其中，650V Bi-Directional GaN FET的G2B65 系列场效应晶体管是混合型常闭双向氮化镓(GaN)场效应晶体管，采用顶部冷却表贴型封装，具有电气隔离的散热金属表面，便于热管理和自动装配工艺，具有双向开关控制能力、兼容Si MOSFET驱动、更低的EMI噪声以及更低的开关损耗等优势特点，可应用于服务器机房、光伏微逆以及新能源汽车等场景。
GNZ671x 产品系列集成了性能优异的 700V D-Mode GaN FET 和智能栅极驱动器 IC，采用行业标准 QFN6x8 封装，可实现系统的高频和高效率运行。它与传统 Si MOSFET 控制器兼容，可以简化电路设计，降低成本，并实现高可靠性。这款新开发的智能合封器件具有电流检测和各种保护功能。GaNext GaNFusion Power IC 是低成本和高效率 PD 充电器、笔记本电脑适配器以及许多其它需要高功率密度的应用的最佳解决方案。
此次，瀚薪科技携带H3M SiC MOSFET Portfolio、HPI SiC HPD模块、HPI SiC SSC模块等产品亮相展会。
瀚薪科技是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高新技术企业，瀚薪在碳化硅领域的产品已经覆盖了从650V、1200V、1700V到3300V 的电压平台，技术处于国际领先水平。目前是国内极少数能够大规模量产车规级碳化硅MOSFET、二极管，并规模出货给全球知名客户的本土公司。
此次，宏微科技携最新产品及解决方案亮相展会，展示内容聚焦工业、电动汽车、光储等前沿领域的技术创新与市场应用融合。
宏微科技成立于2006年，专注功率半导体器件的研发制造，核心产品包括IGBT、FRED、SiC芯片及模块。其自研芯片技术达到国际先进水平，成功打破国外垄断，填补多项国内空白。
本次展会，新洁能携手子公司金兰功率半导体与国硅集成共同亮相，展示功率器件、功率模块、栅极驱动芯片及IPM模块等全系列高性能产品解决方案，包括新一代SiC功率器件 、高效能MOSFET与IGBT、针对AI与算力、机器人、汽车电子的定制化方案等最新产品及方案。
无锡新洁能股份有限公司成立于2013年1月，成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，已成功打造车规级功率器件、IGBT、超结功率 MOSFET、屏蔽栅沟槽型MOSFET、沟槽型MOSFET、碳化硅功率 MOSFET、氮化镓功率 HEMT、功率模块等12大产品平台，产品广泛应用于新能源汽车及充电桩、光伏储能、算力服务器和数据中心、工业电子、消费电子、5G通讯、机器人等领域。在本次展会上，芯长征微电子重点展示了在第三代半导体领域的多款核心产品，特别是碳化硅（SiC）产品系列，其展品包括：SiC MOSFET 模块、全系列SiC产品。据悉，他们2024年发布的新一代SiC MOSFET模块采用了先进的G3 SiC MOSFET芯片及模块封装技术，具有低损耗、高出流能力以及高可靠性等特性。该模块特别适用于高功率、高频率的电力电子系统，满足汽车、清洁能源等高端市场的严苛需求。除了上述模块外，芯长征微电子全系列的SiC产品包括不同电压等级（如600V至1700V）和电流规格的SiC芯片、单管及模组。这些产品可覆盖从消费类电子到工业控制，再到新能源汽车和清洁能源等多个应用领域。此次，平伟实业带来旗下最新SiC、车规级模块等产品参展，并带来多种创新方案，包括EPS电机驱动解决方案、6.6KWOBC+DC-DC二合一解决方案等。重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础，面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子等市场领域，建立了产品开发、制造和测试平台，提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案。本次展会，杰平方半导体携多款碳化硅（SiC）系列产品和先进解决方案重磅亮相，包括8mΩ 、12mΩ及16mΩ SiC MOS ，1200V SiC 功率模块等。杰平方半导体（上海）有限公司是聚焦车载芯片研发和生产的半导体企业，致力于满足中国汽车产业对国产自主车载芯片的旺盛需求，打造世界领先的碳化硅垂直整合晶圆厂的标杆企业，并结合芯片代工厂的既有优势，创新IDM+的商务模式，打造芯片供应链的核心竞争力。本次展会，德州仪器携带汽车电子、机器人与工业自动化、能源基础设施、边缘 AI 等领域的前沿技术与硬核解决方案亮相。
德州仪器是一家全球性的半导体公司，从事设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片，主要用于工业、汽车、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。
在本次展上，真茂佳重点展出了最新研发的增强型GaN晶体管，并展示了8英寸GaN晶圆。
据了解，本次展出的100V增强型GaN晶体管采用QFN 3×5封装，具体参数为：耐压：100V；阈值电压（Vth）：~2V；最大导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ。与此同时，该产品还具有高效率与低损耗、高可靠性栅极设计等特点。此外，该产品适用于电机驱动、DC/DC转换器等高效率电源应用，尤其适合40V~60V降至5V~12V的高功率密度模块设计。未来，真茂佳还将推出WLCSP封装版本，以适配激光雷达、D类音频放大器等更广泛的应用场景。此次，云镓半导体带着最新的 GaN 产品和工业及汽车电子解决方案亮相展会，值得关注的是，他们也推出了650V的GaN双向导通器件。据了解，云镓半导体拥有一支专业的氮化镓器件研发队伍，其产品类型覆盖了 100~900V电压平台，以及分立/合封/GaNIC等多种产品形态，依托于自建的全套软硬件测试验证平台，确保了量产品质及新产品的快速迭代。目前，其产品线已陆续发布多款消费类及工业类产品，产品形态正朝着智能化、模组化方向不断演进。在本次展会上，阅芯科技带来了两款专门针对第三代半导体领域的先进测试产品。首先是全自动静态测试系统AVATAR-S-NW，它专为SiC/IGBT/MOSFET等功率器件设计，提供了高效、全面的静态参数测试解决方案。另一款展品是第三代车规级功率模块无功老化测试系统Maxwell-pro，它能够模拟汽车在实际运行中的各种极端工况，对功率模块进行严格的测试，确保其在各种复杂环境下的可靠性和稳定性。本次展会，新微半导体携全系氮化镓功率工艺平台解决方案惊艳亮相，获得众多参会人士的关注。新微半导体以“技术驱动·绿色赋能”为核心理念，为客户提供从低压（30-40V）、中压（80-200V）到高压（650-900V）的全谱系氮化镓功率代工解决方案，通过不断的创新迭代，该功率工艺平台代工的产品已赢得了市场和客户的认可，在消费电子、数据中心、新能源汽车以及光伏储能等多个终端领域展现出巨大的应用潜力。時科这次参展带来了第三代半导体氮化镓GaN、IGBT和碳化硅SiC产品。在消费类电源领域，時科重点推出了两款氮化镓GaN产品，主要是应用于 PD3.0和PD3.1的大功率快充电器（PD65W-240W）的全系列产品。碳化硅方面，時科推出的碳化硅器件可应用在非车规级的充电桩、工业自动化设备、工业机器人等领域，主要实现到大功率的产品良好散热的性能。据了解，時科展出的第三代半导体产品均使用高密度互连材料，实现超低空洞率，提升芯片互连的可靠性和性能。在封装方面采用高密度的2.5D/3D封装，通过先进工艺使得产品性能更加稳定、散热效果更好。本次展会，POWER MASTER重点展示了SiC MOSFET的新封装产品。其中，非绝缘式设计（LF形式）具有更低的封装成本、更好的散热效果、比DBC版本更大的可附着芯片尺寸、爬电距离(4.85mm)等特点。POWER MASTER半导体株式会社是韩国唯一一家综合性功率半导体公司，由一批在领先公司拥有20多年功率半导体设计、生产、应用技术和营销经验的专家成立。该公司除了在功率半导体领域提供具有成本效益的解决方案，还专注于效率的市场（例如服务器、能源、工业应用和电动汽车），发布超级结MOSFET、中压MOSFET、SiC二极管和SiC MOSFET等新产品。本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
英诺赛科/英飞凌GaN创新：1200V；集成二极管
