——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破
4月24日 湖北 武汉
论坛背景
半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电力电子、光电子、微波电子等领域大有可为。
本论坛聚焦材料协同创新与跨领域应用，深入探讨技术瓶颈，全面剖析技术趋势，寻找氮化镓及第四代半导体发展的方案。推动金刚石、GaN与氧化镓从实验室竞争走向场景化互补，加速“双碳”目标与AI算力革命的落地。
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论坛信息
联合主办：CSE组委会、DT新材料
大会主题：激活未来
论坛时间：2025年4月24日
论坛地点：武汉光谷科技会展中心
会议议题
金刚石、氮化镓、氧化镓晶体生长与加工
金刚石、氮化镓、氧化镓薄膜及其外延技术
金刚石、氮化镓、氧化镓功率器件、封装及测试
金刚石、氮化镓、氧化镓相关装备
金刚石、氮化镓、氧化镓产业与政策
2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会现场
DT新材料重磅亮相第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE），与CSE组委会联合打造宽禁带半导体材料分论坛，深度探讨宽禁带半导体前沿技术与产业化路径。期待与您携手迎接化合物半导体行业的全新机遇与挑战，让我们相约2025年4月23-25日·武汉光谷科技会展中心，共同见证盛会的精彩绽放！
展会期间，我们的媒体展位号是B221，诚邀业界同仁莅临交流，共话产业未来！
与此同时，DT新材料诚挚向您发出邀请——Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会
时间：2025年12月9-11日 | 地点：上海新国际博览中心
