4月14日，AMD 宣布已获得其首款 2 纳米级硅片——核心复合芯片 (CCD)，用于其第六代 EPYC “Venice” 处理器，预计将于明年推出。Venice CCD 是业界首个采用台积电 N2 制程技术流片的 HPC CPU 设计，凸显了 AMD 积极的产品路线图以及台积电生产节点的准备就绪。
AMD 的第六代 EPYC“Venice”预计将基于该公司的 Zen 6 微架构，并预计将于 2026 年左右推出。这款 CPU 将采用台积电 N2（2 纳米级）制程生产的 CCD，因此该公司即将在工厂生产首批 Venice CCD。然而，AMD 已经拥有可以公开谈论的芯片，这一事实凸显了 AMD 与台积电之间长期的合作关系，以及双方在台积电迄今为止最先进的制程技术之一上共同打造芯片的努力成果。
目前，AMD 尚未讨论其 EPYC“Venice”处理器或 CCD 的细节，但该公司的新闻稿声称硅片已经流片并投入使用，这意味着 CCD 已成功启动并通过了基本的功能测试和验证。
AMD 首席执行官苏姿丰博士表示：“台积电多年来一直是我们的重要合作伙伴，我们与其研发和制造团队的深度合作，使 AMD 能够持续提供突破高性能计算极限的领先产品。成为台积电 N2 制程和台积电亚利桑那 Fab 21 的领先 HPC 客户，是我们紧密合作、推动创新并提供驱动未来计算的先进技术的典范。”
台积电董事长兼首席执行官魏哲家博士表示：“我们很荣幸 AMD 成为我们先进的 2 纳米 (N2) 制程技术和台积电亚利桑那晶圆厂的主要 HPC 客户。通过合作，我们正在推动技术的显著扩展，从而提高高性能芯片的性能、能效和良率。”
台积电的N2工艺是其首个基于环栅（GAA）纳米片晶体管的制程技术。该公司预计，与上一代N3（3纳米级）相比，该制程技术将使功耗降低24%至35%，或在恒压下提高15%的性能，同时晶体管密度也将提升1.15倍。这些提升主要得益于新型晶体管和N2 NanoFlex设计技术协同优化框架。
此前，AMD 的主要竞争对手英特尔已将采用 18A 制造技术（将与台积电的 N2 竞争）生产的下一代 Xeon“Clearwater Forest”处理器的发布时间推迟到明年上半年。
另外，AMD 宣布已成功验证了由台积电在其位于亚利桑那州凤凰城附近的 Fab 21 工厂生产的第五代 EPYC 处理器的硅片。这意味着该公司部分当前一代 EPYC CPU 现在可以在美国生产。
——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破
4月24日 湖北 武汉
论坛背景
半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电力电子、光电子、微波电子等领域大有可为。
本论坛聚焦材料协同创新与跨领域应用，深入探讨技术瓶颈，全面剖析技术趋势，寻找氮化镓及第四代半导体发展的方案。推动金刚石、GaN与氧化镓从实验室竞争走向场景化互补，加速“双碳”目标与AI算力革命的落地。
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论坛信息
联合主办：CSE组委会、DT新材料
大会主题：激活未来
论坛时间：2025年4月24日
论坛地点：武汉光谷科技会展中心
会议议题
金刚石、氮化镓、氧化镓晶体生长与加工
金刚石、氮化镓、氧化镓薄膜及其外延技术
金刚石、氮化镓、氧化镓功率器件、封装及测试
金刚石、氮化镓、氧化镓相关装备
金刚石、氮化镓、氧化镓产业与政策
2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会现场
DT新材料重磅亮相第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE），与CSE组委会联合打造宽禁带半导体材料分论坛，深度探讨宽禁带半导体前沿技术与产业化路径。期待与您携手迎接化合物半导体行业的全新机遇与挑战，让我们相约2025年4月23-25日·武汉光谷科技会展中心，共同见证盛会的精彩绽放！
展会期间，我们的媒体展位号是B221，诚邀业界同仁莅临交流，共话产业未来！
与此同时，DT新材料诚挚向您发出邀请——Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会
时间：2025年12月9-11日 | 地点：上海新国际博览中心
