SK海力士决定今年的资本支出（CAPEX）较上年增加60%以上。随着美国美光等后来者相继进入Nvidia的高带宽内存（HBM）供应链，Nvidia正试图通过压倒性的出货量来维持其第一大市场份额。
据业界消息人士4月15日透露，SK海力士今年预计将花费29万亿韩元用于设施投资，与SK海力士去年业绩报告中披露的17.956万亿韩元的设备投资额相比，增长了61.5%。
市场对于SK海力士今年将增加设施投资成本没有异议。这是因为，随着人工智能（AI）数据中心建设的蓬勃发展，需要更多的生产设施来处理来自大型科技公司日益增多的订单量。 SK海力士的资本支出受半导体行业周期影响，从2022年的19.65万亿韩元大幅下降至2023年的6.591万亿韩元，但去年已恢复至之前的水平。
然而，设施投资成本的规模似乎比最初预期的金额大幅增加。市场研究公司 TechInsights 和三星证券此前预测，SK 海力士今年的设施投资成本将达到 150 亿美元，约合 21 万亿韩元。不过，韩亚证券最近通过报告书将年度设施投资规模上调至27万亿韩元，市场预计该成本将在此基础上再次增加至29万亿韩元。
SK海力士今年CAPEC实施成本的增加，被解读为是美国美光等后来者积极增加设施投资成本所致。
美光近期已采取多项举措，例如进入此前由SK海力士垄断的第五代 HBM3E 12 层供应链。据悉，该产品目前已通过质量测试并投入量产，将搭载于AI加速器Blackwell Ultra（GB300）中。
美光公司的计划是将其 HBM 市场份额从去年的 5.1%提高到今年的20%，还正在努力扩大生产设施以确保市场份额。美光公司预计2025财年（2024 年 9 月至 2025 年 8 月）的 CAPEC 规模为 140 亿美元，即 20 万亿韩元。这比去年同期增长了72.8%，并超过了2022财年119.8亿美元的前纪录。
鉴于这种情况，据了解，SK海力士也增加了设施投资，以确保HBM的稳定供应并保持其第一的市场份额。增加的设施投资成本预计将用于扩大清州新M15X工厂的HBM3E核心芯片生产能力，该工厂计划于今年下半年完工。
此外，第 6 代 HBM，即 12 层 HBM4 产品预计将于今年量产，需要更多的生产设施。上个月，SK海力士向客户提供了全球首个12层HBM4样品。据了解，12层产品由于封装难度较高，需要的产能也比8层产品更大。
一些人担心 SK 海力士的设施投资成本大幅增加。证券业估计，SK海力士的资本支出将占今年预计营业现金流（OCF）的77%左右。也就是说，每销售1000韩元，就有770韩元用于设施投资。在这种情况下，现金流可能会放缓。
此外，在HBM需求增加导致平均销售价格（ASP）预计上涨的情况下，增加设施投资是否能对实际产品价格上涨产生积极影响尚不确定。在盈利扩张不确定的情况下，过度增加设备投资必然会成为负担。
一位业内人士解释道，“美光公司正试图迅速扩大产能以增加供应，而 SK海力士可能已经决定需要更快地扩大产能。”
