美光12层HBM3E已通过英伟达测试，开始量产！

全球第三大内存半导体公司美光公司正集中所有力量夺取“高带宽内存（HBM）王座”。

随着美光公司在确保客户、扩大生产基地、招募专业人才等各个方面加强其HBM竞争力，有观察认为，目前由韩国公司主导的HBM市场可能会发生结构性转变。

4月13日，据业界消息人士透露，美光公司HBM3E 12层产品已通过NVIDIA的质量测试，并开始量产该产品，将搭载于人工智能（AI）加速器“Blackwell Ultra（GB300）”。

美光此前在上个月的财报中宣布，已开始量产HBM3E 12层，并专注于提高产能和良率，并补充称“HBM3E 12层将占今年下半年出货量的大部分。HBM3E 12层的设计与NVIDIA的GB300 相匹配，我们在 HBM 客户认证方面取得了良好的进展。”

这表明NVIDIA已经完成HBM3E 12层质量认证，并进入实际供货的“量产”阶段。

至此，美光成为继SK海力士之后第二家向NVIDIA供应目前市场主流产品HBM3E 12层的企业。

目前，美光在 HBM 市场份额中排名垫底。

据市场研究公司 TrendForce 称，去年 SK 海力士在全球 HBM 市场的份额为52.5%，其次是三星电子，份额为42.4%，美光科技的份额为 5.1%。

不过，随着美光进入SK海力士垄断的NVIDIA HBM3E 12层供应链，其影响力预计将进一步扩大。三星电子尚未进入供应链。

据另一家市场研究公司Counterpoint Research的调查，今年第一季度，得益于HBM的火爆，SK海力士超越三星电子（34%），占据整体DRAM市场的首位（36%）。美光公司股价上涨25%。

尤其是去年第四季度美光与三星电子在DRAM市场份额上的差距为16.9个百分点，但今年第一季度已缩小至9个百分点。

也有分析认为，这是因为美光公司通过向Nvidia等大公司供应HBM3E 8层，增强了其HBM影响力。

业界认为，美光公司可以超越三星电子，甚至威胁到SK海力士的领先地位。

美光在财报中宣布，今年将把HBM市场份额提升至20%，并全力扩大产能。

美光公司目前在其位于台湾台中的工厂生产 HBM，并计划将其去年 8 月收购的友达光电旗下的两家工厂改造成生产 HBM 的 DRAM 基地，并于今年开始运营。

今年早些时候，该公司还宣布计划投资10 万亿韩元在新加坡建设 HBM 工厂，目标是明年开始运营。美光还在扩建位于美国爱达荷州和纽约州的工厂。

此外，据报道，目前正在日本广岛建设的包括HBM在内的DRAM生产工厂，将原定于2027年投入运营的目标提前了约一年，并且将于6月引进生产尖端产品所必需的极紫外（EUV）设备。

除了扩大产能外，该公司还积极寻求制造设备和人才引进。

美光公司从韩美半导体进口并使用了大部分“TC键合机”，这些设备是HBM制造工艺必不可少的设备。据悉，今年（截至4月初）TC粘合机的采购数量已经超过去年同期的采购数量（约30至40台）。