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南智光电发布石英基薄膜铌酸锂及硅光PDK，打造国产光电子芯片新高地

MEMS 2025-04-13 00:02
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继连续推出三款光子芯片、MEMS芯片PDK后，近日南智光电再度加码，同步发布两款新型光子器件设计工具包（PDK）：石英基薄膜铌酸锂PDK —— IOPTEE-QZ-TFLN-360-V1.0，以及面向通用应用的硅光PDK——IOPTEE-SIP-Si-Cband-V1.0。两款PDK的发布，标志着南智光电在多材料、多平台光子集成布局上的进一步完善，也为产业链上下游提供了更丰富的技术选型与流片服务能力。


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NEWS

IOPTEE-QZ-TFLN-360-V1.0

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作为国内首个石英基薄膜铌酸锂PDK，IOPTEE-QZ-TFLN-360-V1.0支持4英寸晶圆小批量流片与研发验证小片流片，具备高性能与高灵活性的双重优势。该PDK包含针对C波段和O波段的独立设计器件，集成分束器、耦合器等核心器件模型，支持电光调制器带宽超过67 GHz，半波电压低于3V，具备面向下一代超高速光通信系统的潜力。

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IOPTEE-QZ-TFLN-360-V1.0示意图

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左图为石英基薄膜铌酸锂电光调制器带宽测试

右图为4英寸晶圆波导损耗测试结果


相较于传统硅基薄膜铌酸锂，石英基薄膜铌酸锂电光调制器在超宽带调制能力上表现出显著优势，可实现110GHz以上调制性能。然而，其工艺复杂度更高，对制程稳定性提出更大挑战。经过一年多的工艺迭代与可靠性验证，南智光电已成功构建起标准化石英基薄膜铌酸锂工艺平台，并计划于2025年下半年启动MPW流片服务。

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NEWS

IOPTEE-SIP-Si-Cband-V1.0同步上线

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同时发布的IOPTEE-SIP-Si-Cband-V1.0，基于180nm CMOS兼容工艺，采用200mm SOI衬底（3 μm埋氧层、220 nm顶层硅），可实现无源器件、热光调谐器件等主流硅光子器件的开发，可满足高校、科研机构与产业合作方的多样化研发需求。

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IOPTEE-SIP-Si-Cband-V1.0示意图

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IOPTEE-SIP-Si-Cband-V1.0器件库性能参数表


同时为助力客户更好理解与使用硅光PDK，南智光电将联合光子设计平台合作伙伴逍遥科技，于4月21号开展线上培训会，围绕设计流程、应用实操与流片服务进行全面讲解，推动硅光PDK平台的广泛应用。

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本次南智光电在一周内密集推出五款涵盖薄膜铌酸锂、硅光、MEMS等主流平台的PDK工具包，标志着公司在光子工艺平台建设上实现系统能力升级的关键跨越。当前，南智光电已建立起以硅光、MEMS、薄膜铌酸锂、薄膜钽酸锂等多类材料为支撑的PDK模块化体系，广泛适配光通信、光传感、微系统集成等热门应用场景。


这一轮PDK集中发布不仅极大降低了业内设计开发门槛，也为国内光子芯片从设计、流片到验证、量产构建起更加完整、高效的技术基础设施，持续推动光子集成技术向规模化、产业化加速迈进。

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