据报道，三星电子开始研发1nm（纳米，10亿分之1米）晶圆代工工艺。由于在即将量产的2nm工艺等技术上与台积电存在现实差距，三星电子计划加快1nm级工艺的开发，以创造反转机会。
据9日业界消息，三星电子半导体研究所最近启动了1nm工艺的开发。部分参与2nm等最尖端工艺开发的研究员被选拔出来，组成了项目团队。在三星电子目前公开的晶圆代工工艺路线图中，2027年计划量产的1.4nm工艺是最尖端的。
1nm工艺需要打破现有设计框架的新技术概念，以及引入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻机等下一代设备。消息称，三星方面将量产时间定在2029年之后。
在三星电子正在量产的3nm和今年计划量产的2nm领域，三星技术落后于台积电。特别是在2纳米方面，台积电的良率已超过60%，与三星电子的差距不小，因此提前启动了1nm工艺开发。
与此同时，三星的竞争对手也在加快1nm级工艺的开发。台积电去年4月宣布将在2026年下半年开始生产介于1.4nm和2nm之间的1.6nm（16A）技术。此举被视为应对快速变化的人工智能（AI）半导体市场技术需求，并为下一代工艺搭建桥梁。
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