兆驰、聚灿等4企公布MicroLED新专利

行家说Display 2025-04-11 12:25 123浏览 0评论 0点赞

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进入4月，兆驰半导体、聚灿光电、麦沄显示、垒沃科技等企业持续公示Micro LED相关专利进展，涉及外延片制作、芯片结构、封装等领域，推进提升Micro LED光效、功率等，及商业化进程。

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■ 兆驰半导体：一种垂直结构MicroLED芯片及其制备方法

此前，行家说Display报道了兆驰半导体Micro LED新专利（点这里.），近日，兆驰半导体又公布了“一种垂直结构MicroLED芯片及其制备方法”的发明专利进入审中公布阶段。

本发明公开的垂直结构Micro LED芯片包括第一Micro LED芯片和第二Micro LED芯片，第一Micro LED芯片包括第一衬底、第一外延层、第一电极，所述第一外延层上设置有第一键合层，且露出所述第一电极；第一电极包括第一N型电极和第一P型电极；第二Micro LED芯片包括第二外延层、第二电极，所述第二外延层上设置有第二键合层，且露出所述第二电极；第二电极包括第二N型电极；第一Micro LED芯片和第二Micro LED芯片通过第一键合层和第二键合层键合在一起，且第一N型电极和第二N型电极对位设置。

实施本发明，有效提高了单位面积Micro LED芯片的光输出功率，也减少了因相邻芯片波长差异导致的图像失真现象。

■ 聚灿光电：一种红光MicroLED高光效外延结构

4月8日，聚灿光电科技(宿迁)有限公司“一种量子点MicroMIP器件制备方法”相关专利进入审中公布阶段。

本发明公开了一种红光Micro LED高光效外延结构，通过在P型AlInP限制层和P型GaP电流扩展层之间引入高能带横向扩展层，优化电流分布、减少电子溢流以及增强侧壁性能，有效提高了量子效率和光提取效率，同时增强了器件的高温稳定性和长期可靠性。该横向扩展层为创新性的超晶格结构，由高掺杂GaP层、低掺杂GaP层和AlxGa1xP层交替组成。

本发明适用于小尺寸、高分辨率显示屏、车载高温显示器以及低功耗增强现实眼镜等场景，具有广泛的应用前景和工业价值。

■ 麦沄显示：一种基于DNA碱基互补配对的MicroLED自组装方法

4月11日，昆山麦沄显示技术有限公司“一种基于DNA碱基互补配对的MicroLED自组装方法”进入审中公布阶段。

本申请公开了一种基于DNA碱基互补配对的Micro LED自组装方法，包括如下步骤：S 1：在Micro LED芯片出光面利用化学反应引入DNA单链分子碱基对；S2：对于目标基板特定位置表面进行处理，使其通过化学反应引入与Micro LED芯片表面互补配对的DNA单链分子碱基对；S3：将Micro LED芯片和基板浸入含有保护DNA链活性成分的流体中；S4：通过作用力将Micro LED芯片均匀分布到基板各个位置，利用对应Micro LED芯片表面DNA单链分子与基板表面之间DNA单链分子的碱基互补配对作用，实现Micro LED芯片的自动排列和组装；S5：用流体带走基板表面多余的Micro LED芯片并清洁，然后进行后续平坦化以及重布线处理。

本申请实现简单高效的自组装过程，完成Micro LED芯片的高精度转移和低成本生产，具有广泛的市场应用前景。

■ 垒沃科技：红光MicroLED的外延结构、芯片结构的制备方法及芯片结构

4月11日，垒沃科技(绍兴)有限公司“红光MicroLED的外延结构、芯片结构的制备方法及芯片结构”专利进入审中公布阶段。

本申请涉及半导体技术领域。包括依次层叠设置的衬底、N型刻蚀截止层、N型接触层、N型附着层、N型粗化层、N型保护层、N型电流扩展层、发光区、P层电流扩展层、P型保护层、P型过渡层、P型接触层，所述发光区与N型电流扩展层之间，以及所述发光区与P层电流扩展层之间两者中至少其一设置有插入限制层，所述插入限制层用于在形成芯片的过程中，在两端形成绝缘部。

本申请可以限制电流的横向扩展，使更多的载流子注入到有源区中，大大提高电流注入率，所以即使注入电流很小也可以得到局部较高的电流密度，从而提高发光效率。

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