插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。
4月8日，杭州士兰微电子发布碳化硅项目进展公告，主要透露了6&8英寸项目、模块交付、产品迭代的最新消息。
除此之外，“行家说三代半”通过调研发现，士兰微在碳化硅领域还有着诸多布局及进展，详情请看：
6&8英寸SiC芯片项目：
合计产能近90万片/年
“行家说三代半”发现，士兰微在厦门市相继打造了“士兰明镓-6英寸”与“士兰集宏-8英寸”两大 SiC 芯片生产线，根据上述公告，其最新进展如下：
“士兰明镓 6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”：截至目前，士兰明镓已形成月产 9000 片 6 吋 SiC MOS 芯片的生产能力。
“士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”：截至 2024 年底，士兰集宏 8 吋 SiC mini line 已实现通线，士兰微Ⅱ代 SiC 芯片已在 8 吋 mini line 上试流片成功，其参数与士兰微 6 吋产品匹配，良品率明显高于 6 吋。此外，士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正在进行净化装修，预计将在 2025 年 4 季度实现全面通线并试生产，以赶上 2026 年车用 SiC 市场的快速成长。
值得关注的是，士兰微于2017年就开始进行碳化硅产业布局，产能持续扩大：
2017年，士兰微与厦门半导体投资集团在厦门签署投资合作协议，双方将在厦门市海沧区建设一条4/6吋兼容的化合物半导体生产线，项目由双方参股公司士兰明镓负责，分为两期建设。
2021年8月，士兰微SiC功率器件中试线实现通线，并于2022年完成车规级SiC MOSFET器件的研发，计划向客户送样并开始量产。
2022年7月，士兰微发布公告称，士兰明镓将建设二期项目-“SiC 功率器件生产线项目”，总投资15亿元，项目达产后，将新增6英寸SiC MOSFET芯片12万片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4万片/年的生产能力。
2024年6月，厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目开工，总投资120亿，将形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。
自主研发SiC功率模块：
累计出货量达5万只
此前，士兰微在“2024行家说三代半年会”上透露，他们针对400V、800V新能源主驱应用，推出了两种碳化硅模块方案：其中400V方案为750V HPD 碳化硅功率模块，800V方案为1200V HPD/TPAK 碳化硅功率模块。
在2024 年上半年，基于士兰微自主研发的Ⅱ代 SiC MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已通过吉利、汇川等客户验证，并开始实现批量生产和交付。
其中，B3D和B3G两款SiC功率模块已在2024年Q1阶段交付终端并批量使用，这两款模块皆搭配士兰微自主研发和流片的平面SiC MOSFET，单颗管芯尺寸为25mm²，对应全桥模块导通电阻（RdsON）可以达到13.5mΩ。
目前，这两款SiC模块有750V电压和1200V电压可供选择，其中1200V SiC功率模块，有六并联和八并联可选，八并SiC目前可输出600A，六并可实现450A电流输出功率。
值得关注的是，士兰微的第Ⅲ代平面栅芯片也将导入量产。据士兰微2024年半年度报告透露，他们已初步完成第Ⅲ代平面栅 SiC MOSFET 技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平，正在加快产能建设和升级，尽快将第Ⅲ代平面栅 SiC MOSFET 芯片导入量产。
第Ⅳ代SiC芯片已完成开发
预计2027年发布沟槽栅芯片
“行家说三代半”调研发现，士兰微在碳化硅功率芯片领域展现了极高的技术前瞻性，同时布局平面栅和沟槽栅两种技术路线，并坚持“一年一代”的研发节奏，持续推动技术迭代与突破。
士兰微在公告中表示，目前他们已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标接近沟槽栅 SiC 器件的水平。第Ⅳ代 SiC 芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。
值得注意的是，士兰微计划于2027年推出沟槽栅碳化硅芯片，在丰富碳化硅产品线的同时，满足新能源汽车等领域对高性能SiC器件的迫切需求，就为客户提供更高效、更可靠的解决方案。
未来，士兰微将通过6英寸和8英寸双产线的高效协同，进一步提升产能与技术竞争力。这不仅有助于降低生产成本，提高产品性价比，还将为拓展光伏储能等新兴市场提供有力支持，推动碳化硅器件在更广泛领域的应用。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
