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Part 01
前言
MOSFET的开关过程主要由栅极电压Vgs控制，Turn-On时，栅极电压Vgs从0V上升到阈值电压Vth以上，MOSFET开始导通，漏极到源极的电阻RDS(on)迅速减小，电流开始流过。Turn-Off时，栅极电压Vgs从高电平下降到低于Vth，MOSFET截止，漏极到源极变成高阻态，电流被阻断。
开关过程并不是瞬间完成的，MOSFET的栅极有一个等效电容,包括栅极-源极电容Cgs和栅极-漏极电容Cgd，统称为输入电容Cis。驱动电路需要通过栅极电阻Rg给这个电容充放电，充放电速度直接决定了开关速度。
Part 02
分析
"慢开"指的是MOSFET从截止到导通的过程可以稍微慢一点，也就是让VGS上升得慢一些。这主要是为了减少开关过程中的电磁干扰EMI和电压尖峰。
降低di/dt，减少寄生电感引起的电压尖峰：
当MOSFET导通时，漏极电流ID会迅速上升，di/dt很大。电路中不可避免地存在寄生电感，比如PCB走线、引脚电感等，根据电感电压公式V=L*di/dt，di/dt越大，寄生电感上产生的电压尖峰就越大。这个尖峰可能叠加到MOSFET的漏极-源极电压Vds上，严重时可能超过MOSFET的耐压,导致击穿。
例子：假设电路中有10nH的寄生电感，MOSFET导通时电流从0A到10A只需要50ns（di/dt=10/50×10^-9=2×10^8A/s)，那么寄生电感上的电压尖峰是：
如果开得更快，比如10ns内完成，di/dt变成10/10×10^-9=10^9A/s，尖峰电压就变成10V，可能就危险了。慢开可以降低di/dt，减少尖峰电压，保护MOSFET。
减少EMI：
快速导通会导致电流和电压的快速变化，产生高频谐波，增加电磁干扰。慢开可以让电流变化更平滑，降低高频辐射，减少对周围电路的干扰。
慢开的代价：
慢开会增加开关损耗。MOSFET在导通过程中，Vds逐渐下降，ID逐渐上升，这段时间内MOSFET处于线性区，损耗是P=Vds × ID。但在很多应用中（比如低频开关)，这个损耗可以接受。
为什么必须快关？
"快关"指的是MOSFET从导通到截止的过程要尽量快，也就是让Vgs快速下降到低于Vth。这主要是为了减少关断损耗和避免误导通。
减少关断损耗：
关断时，MOSFET的Vds上升，ID下降，同样会经历一个线性区，产生损耗P=Vds×ID。如果关得慢，这个损耗时间会延长，总损耗增加，发热也会更严重。
举个例子，假设MOSFET关断时，Vds从0V升到12V，ID从10A降到0A。如果关断时间是100ns，平均损耗可以近似为：
总能量损耗（100ns内）：
如果关断时间缩短到20ns，能量损耗变成：
快关直接把损耗降低了5倍！在高频开关应用，比如开关电源，开关频率100kHz，这个损耗会累积，影响效率和发热。
Part 03
总结
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