上期文章“MOS管损耗理论计算公式推导及LTspice仿真验证”我们理论计算了MOS管的开关损耗。这期来说明一个问题：为什么我们很多时候要求MOS管快速关断，而没有要求MOS管快速开通？
下面是常见的MOS管的驱动电路
MOS管快关的原理
还是先简单介绍下快关的原理：
我们知道，MOS管开通和关断的过程，就是MOS管栅极电容充电和放电的过程，所以呢，栅极串联的电阻越大，那么充放电速度越慢，开通和关断越慢。当没有二极管D和电阻Rs_off时，开通时充电和关断时放电的串联电阻都是Rs_on，二者是一样的。
那为什么加上二极管D和电阻Rs_off（有时Rs_off=0Ω，即没有这个电阻）就可以实现快关呢？
当要开通MOS时，驱动器输出驱动电压Vg_drive，此后一直到MOS管完全开通，Vg_drive都大于MOS的栅极电压，因此二极管不导通，所以，相当于Vg_drvie通过电阻Rs_on给栅极进行充电。我们也可以看出，加不加这个Rs_off和二极管D，对于MOS管的开通速度是没有影响的。
当要关断MOS时，Vg_drive接GND，栅极电压大于Vg_drive，因此二极管导通，相当于栅极通过Rs_off并联Rs_on进行放电（严格来说，这里面还有一个二极管的导通压降，并不是很严谨）。我们知道，2个电阻并联之后，电阻要小于并联之前的2个电阻的任何一个。因此，放电时的等效串联电阻为Rs_off//Rs_on，要小于开通时的串联电阻Rs_on，而电阻越小，充放电速度越快，因此我们说，加上这个Rs_off和二极管D可以加速关断。
回到我们最开始的问题，为什么我们要专门增加二极管让关断更快一点呢？
这是因为如果电阻一样的话，关断本身耗时就会长一点，那为什么关断时间会更长？明明充放电的电阻阻值一样？
同电阻时为什么关断时间会更长
结合上一期的内容，我知道，MOS管开通的损耗发生的区域主要在t2和t3时间段，关断损耗主要发生在t6和t7阶段，如下图所示：
t2与t7阶段的差异
我们知道开通的t2阶段和关断的t7阶段互为逆过程：
t2阶段：栅极从门限电压Vgs(th)充电到米勒平台电压Vgp的时间
t7阶段：栅极从米勒平台电压Vgp放电到门限电压Vgs(th)的时间
既然互为逆过程，那这个两个时间不应该一样？直觉好像是这样的，但实际是不同的，因为充电和放电的曲线是不一样的。
MOS管开通和关断的电路模型对比如下图。
我们画出RC电路的充放电曲线如下图：
可以看到，充电时，电压开始上升很快，后面越来越慢，而放电时，也是开始很快，后面很慢。
而一般MOS的Vgs_th也就2V左右，Vgp也就比Vgs_th高1~2V左右，比如以TI的NMOS为例：Vgs(th)=1.3V，Vgp=2.5V
很多功率驱动电路，驱动器输出电压常大于10V，比Vgs_th和Vgp大比较多。
开通过程中对栅极进行充电，Vgs_th和Vgp相对于充电初始电压0V比较近，因此处于充电曲线的前期阶段，充电会比较快，耗时会比较短。
而关断过程中对栅极放电，Vgs_th和Vgp相对于放电初始电压Vg_drvie比较远，因此处于充电曲线的较后期阶段，放电比较慢，耗时会比较长。
综上，t2
说完了为什么t2
t3为什么也比t6时间要短？
类似于t2和t7，开通的t3阶段和关断的t6阶段互为逆过程：
t3阶段：开通过程中米勒平台电压Vgp持续的时间
t6阶段：关断过程中米勒平台电压Vgp持续的时间
首先，我们要知道，米勒平台充电或者放电对应的电荷量都是一样多的，都是米勒平台电荷量Qgd
其次，不论是开通，还是关断过程中，其米勒平台电压持续时间内，栅极电压都维持米勒平台电压Vgp不变。
充电时，充电电流为Ig(充)=（Vg_drive-Vgp）/R
放电时，栅极电流为Ig(放)= Vgp/R
前面说到，Vg_drive很多时候大于10V，Vgp才2~3V，因此易得，Ig(充)>Ig(放)，而充电和放电的电荷量都为Qgd，因此充电时间<放电时间，即t3
现在我们知道了，t2
因此总的开通时间t2+t3 < 总的关断时间t7+t6。
其实，我们从第一期举的例子也可以看出来，在不加二极管的情况下，关断时间是要比开通时间要长不少的，具体如下图所示：
由上图可知：
t2=18ns，比t7= 88.6ns要小很多
t3=29.8ns，比t6=104.5ns也要小很多
小结
尽管从上一期的内容，我们可以直接得到开通时间和关断时间，但是我还是又定性的又分析了一遍，因为公式总是冰冷的，本期文章能够更通俗易懂的说明为什么关断时间更长：
门限电压Vgs_th和米勒平台电压Vgp一般只有1~3V，比栅极驱动电压小比较多，这造成充电快，放电慢，因此开通快，关断慢。
以上内容纯属个人观点，如有问题，欢迎留言交流。
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