华为、蔚来、东风汽车、中兴通讯、爱国者、慕德微纳、元素六、沃尔德、普莱斯曼、宁波晶钻、左文科技、天科合达、英诺激光、特思迪、科猛碳极、英谷激光、长沙埃福思、杭州银湖激光......等企业都将参与2025（第五届）碳基半导体材料与器件产业发展论坛（4月10-12日 浙江宁波），共同探索AI驱动下，金刚石半导体、“金刚石+”SiC/GaN/碳纳米管、石墨烯半导体的最新突破和低成本应用，欢迎扫码报名：
近期，在研发团队人员的不懈努力下，晶驰机电自主研发的“电阻法碳化硅单晶生长设备”通过创新热场方案完成12寸多晶生长验证，这也是国产设备在大尺寸碳化硅衬底技术攻坚中的又一突破性成果！
与传统的硅材料相比，碳化硅具有更宽的禁带能隙以及更高的熔点、电子迁移率和热导率，可在高温、高电压条件下稳定工作，已成为新能源和半导体产业迭代升级的关键材料。但目前，衬底材料成本“居高不下”的问题却严重阻碍着碳化硅器件大规模应用。想要让碳化硅行业降本增效，就要尝试制造更大尺寸的碳化硅衬底材料。晶驰机电研发总监赵聪介绍道：“与市面上普遍的6英寸和8英寸的衬底相比，12英寸碳化硅衬底材料扩大了单片晶圆上可用于芯片制造的面积。也就是在同等生产条件下，芯片产量明显提高，那么单位芯片制造成本也会显著降低。”把碳化硅长晶炉想象成烤箱，烤制的蛋糕尺寸不同，所需工艺也有差别。烘焙如此，更不用说长晶这样需要严格控制、层层把关的技术。8英寸和12英寸单晶生长的参数设置、热场分布，甚至晶炉内部配置的坩埚都有不同。赵聪带领着研发团队从去年初就开始了高强度的研发攻关：“我们这款长晶设备采用电阻式PVT方法生长碳化硅晶锭，以创新的结构和热场设计，结合最先进的过程控制理论和自动化控制方法，实现了均匀的径向温度和宽范围精准可调的轴向温度梯度，并能实现长晶过程中工艺参数的精准控制和设备运行的高度智能化，无论是8英寸还是12英寸，都能无缝‘一键切换’。”与传统生产不同，此次晶驰实现了同一台设备既可稳定量产8英寸碳化硅单晶，又完全具备生长12英寸碳化硅单晶的能力。通过该设备生长出来的晶锭形态完美，表面微凸度精准控制在2.4mm以内。炉间工艺稳定、操作方法简单，可实现快速投产；整个工艺流程全部自动化控制，适合产业化应用。这不仅更灵活适用于未来大尺寸碳化硅衬底的规模化量产，还大大降低了芯片的制造成本，进一步促进行业降本增效。从实验室的“苗苗”到产业良木，作为中心首批自主孵化的科学公司之一，四年间，晶驰机电在各级政府的关心支持和科创中心资源培育下稳扎稳打地前进，专注于碳化硅、金刚石、氮化铝等第三、四代半导体材料装备的研发、生产、销售和应用推广，致力于解决国家先进半导体设备技术卡脖子问题，提升国内先进材料制造能力，实现进口替代。去年10月，晶驰机电还完成了数千万首轮融资。正如晶驰机电总经理郭森所说：“资金的注入使得我们能够加大研发投入，扩大生产规模，提高产品质量和服务水平。未来，我们将继续坚持自主创新，不断探索先进半导体装备的新技术，力争在未来几年内成为国家三代、四代半导体装备领域的领军企业。”
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2025（第五届）碳基半导体材料与器件产业发展论坛
4月10-12日 浙江 宁波
论坛主席：江南，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员DT半导体、洞见热管理、Carbontech、DT新材料、DT芯材、化合物半导体、芯师爷、微纳研究院 Ideal Media14:00-19:30 大会签到、注册
15:00-17:30 闭门会议（邀请制）
4月11日（星期五）
09:00-12:00 开幕活动、主论坛专题报告
12:00-13:30 午餐
13:30-18:00 专题报告
18:30-20:00 欢迎晚宴
4月12日（星期六）
09:00-12:00 专题报告
12:00-13:30 午餐
14:00-16:30 专题报告
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邮箱：liumingcheng@polydt.com圆满落幕！500+行业大咖携手CarbonSemi助力碳基半导体产业化进程！第四届碳基半导体材料与器件产业发展论坛，陪伴行业发展
