第37届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)将于2025年6月1-5日在日本熊本市（Kumamoto）举办。
作为IEEE旗下的功率半导体旗舰会议，ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、封装和应用等功率半导体领域的所有方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，也是功率半导体器件和功率集成电路领域技术讨论的首要会议。ISPSD被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。
ISPSD2025论文录用结果公布，根据多个渠道汇总，ISPSD2025共计收到稿件350篇，录用178篇，录用率为50.86%，而ISPSD2024的录用率是42.6%。
据TPC成员透露消息，按照论文提交的方向来看，碳化硅（SiC）/氧化镓（Ga2O3）方向和氮化镓（GaN）方向投稿数量都超过100篇，是投稿数最高的两个方向；功率集成设计（ICD）方向投稿数量增长超过50%；低压器件（LVT）方向、高压器件（HV）方向、模组与封装（PK）方向的投稿数量均有所下滑。但是6个方向的论文录用比例均在50%以上。
据悉，中国内地机构共投稿183篇，和ISPSD2024的投稿数量相同，占投稿总数量的52.3%；录用数量88篇，占录用总数量的一半。
178篇录用论文中，口头（Oral）报告有58篇，120篇海报（Poster）报告。中国内地录用的88篇中，有17篇口头报告，71篇海报报告。
中国内地可以确定的一作录用入选单位：安徽大学、北京大学、氮矽科技、电子科技大学、东南大学、福州大学、复旦大学、华北电力大学、华润微、南方科技大学、南京大学、南京邮电大学、山东大学、四川大学、西安电子科技大学、英诺赛科、云镓半导体、浙江大学、中国科技大学、中科院微电子所。
由于有些第一作者的单位无法确认，入选单位有所遗漏，恳请谅解！
电子科技大学共录用16篇，其中集成电路科学与工程学院功率集成技术实验室（PITeL）入选15篇（4篇口头论文，11篇海报论文），继续蝉联全球机构一作论文录用数量第一名！其中氮化镓（GaN）方向7/6篇，高压器件（HV）方向1篇，功率集成设计（ICD）方向3篇，低压器件（LVT）方向3篇，碳化硅（SiC）方向1篇。
电子科技大学的另外1篇来自集成电路科学与工程学院新器件研究室。
中国科学技术大学微电子学院今年大爆发，共录用11篇文章（2篇口头论文，9篇海报论文），排名全球机构一作论文录用数量第二名！氮化镓（GaN）方向6篇，氧化镓（Ga2O3）方向5篇。
东南大学集成电路学院功率集成电路研发部共录用6篇文章（海报论文）。氮化镓（GaN）方向3篇，功率集成设计（ICD）方向1篇，碳化硅（SiC）2篇。
浙江大学共录用6篇，电气工程学院电力电子器件实验室（PEDL）共录用5篇（4篇口头论文，1篇海报论文），碳化硅（SiC）方向3篇，氧化镓（Ga2O3）方向1篇，封装（PK）方向1篇；集成电路学院录用1篇，属于低压器件（LVT）方向。
复旦大学微电子学院张卫教授团队黄伟课题组录用5篇，低压器件（LVT）方向2篇，氮化镓（GaN）方向2篇， 氧化镓（Ga2O3）1篇。（注：黄伟教授已经于2025年1月加入江南大学集成电路学院）
北京大学集成电路学院魏进/王茂俊团队录用2篇，碳化硅（SiC）方向和氮化镓（GaN）方向各1篇。
南京邮电大学集成电路科学与工程学院首次在ISPSD发表论文，属于高压器件（HV）器件方向。
四川大学物理学院微电子学系首次在ISPSD发表论文，属于碳化硅（SiC）方向。
