插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。
随着外延技术迭代与成本曲线下探，氮化镓的应用版图已覆盖消费电子、数据中心、新能源汽车等高成长性赛道。EPC、英飞凌等头部厂商一致认为——GaN技术已迎来规模化爆发的临界点（.点这里.）。
本文，“行家说三代半”汇总了最新的具体案例分享，展示GaN技术在上述领域的应用进展与突破：
▲ 英飞凌GaN方案应用于1500W D类放大器
2月22日，据外媒报道，英飞凌100V GaN增强型晶体管IGC033S101型号（PQFN-3x5 封装）已成功应用于SounDigital 在其新推出的1500W D类放大器中。
据介绍，英飞凌CoolGaN氮化镓技术通过其HEMT结构，显著提升了SounDigital 1500W D类放大器的性能。该技术利用高频开关特性与低导通电阻优势，将整机效率提升至94%，并大幅降低谐波失真（THD+N<0.005%），同时实现更紧凑的机身设计。系统采用智能驱动架构和动态控制算法，结合多重保护机制，确保高功率输出的稳定性。
2月，中科半导体宣布，他们发布的具身机器人动力系统芯片采用了氮化镓驱动器，这种技术使得芯片在高频神经反射系统中表现优异，频率超过250Hz，感知到执行的延迟低于5ms，接近人类神经反射速度。据悉，GaN技术的应用为芯片提供了高频、高效和低损耗的特性，这对于实现复杂的机器人动作和动态平衡至关重要。该芯片通过内置的FPGA（AI ASIC）和阵列GaN驱动器，结合惯性测量单元（IMU）与视觉传感器的多模态数据融合，输出阵列PWM信号，控制仿真肌肉和伺服电机系统，实现超过32个自由度的单个姿态运动。▲ 华为推出3000W钛金牌氮化镓电源
华为于2024年推出了3000W钛金牌氮化镓电源。这款电源使用了GaN System推出的GS66516T增强型氮化镓开关管，耐压650V，导阻25mΩ，用于高频开关应用，从而实现了更高的功率转换效率和更小的体积。
据悉，该电源的功率密度达到5.92W/cm³，通过了80 PLUS钛金认证，表明其在能效和可靠性方面达到了行业领先水平。▲ Fraunhofer IZM推出GaN车载OBC
近日，Fraunhofer IZM官网宣布，他们开发的车载充电器采用了氮化镓技术，使其具备高功率密度和效率。GaN的高开关频率（超过1 MHz）使得充电器设计紧凑、高效，并确保了电网与车辆电池之间的安全隔离。
该技术与平面PFC电感器结合，进一步减少了体积，实现了短冷却路径。OBC在3升体积内提供高达22 kW的充电功率，兼容400和800伏电池及全球电网，效率超过97%。此外，OBC支持双向充电功能，可作为电网或家庭的能量存储设备。加入氮化镓大佬群，请加微信：hangjiashuo999▲ 瑞能股份展示GaN光储融合化成分容系统
在3月5日-7日的2025韩国电池展上，瑞能股份展示了其光储融合化成分容系统，该系统采用了GaN/SiC高压母线模块。这些模块的应用使得能量转换效率突破了90%，同时系统还实现了库位温差精准控制在±2℃以内。相较传统方案，该系统降低了综合能耗超30%，为韩国电池企业构建“源-网-荷-储”一体化用能模式提供了系统级支撑。▲ 罗姆EcoGaN™搭载于AI服务器电源
2月25日，罗姆宣布，其EcoGaN™产品被村田制作所的AI服务器电源采用，展示了其在高效率和小型化方面的优势。EcoGaN™采用650V耐压、TOLL封装的GaN HEMT，具有低损耗和高速开关特性，能够显著提升电源的功率密度和效率。
村田制作所的AI服务器电源单元通过使用罗姆的GaN HEMT，实现了更高的效率和更小的尺寸，预计将于2025年开始量产。▲ 纳微半导体GaNSense™技术搭载于AI服务器电源
3月12日，纳微芯球官微宣布，纳微半导体的GaNSense™技术助力长城电源开发出超高功率密度的2.5kW模块电源，专为AI数据中心设计。
该电源尺寸仅为1/4标准砖大小，却能提供2.5kW的恒定功率，峰值功率达3kW，功率密度达到92.36W/cm³，效率高达97.9%。GaN技术的高频开关特性使得电源在小体积内实现高效率和高功率输出，同时降低能耗，满足AI数据中心对算力和能效的严格要求。近日，HeadSpring官网披露，公司推出了GaN逆变器实验套装，该方案是一个三相全桥逆变器，使用了GaN Systems的GaN E-HEMT，能够实现高达5MHz的高频率切换。
该套装包括逆变器、控制器和样本软件，只需连接电源和负载即可立即进行高频率驱动实验。用户可以通过样本软件切换不同的电路配置和操作条件，如斩波器和逆变器动作，以及单相和三相输出。此外，该套装允许用户通过操作板调整切换频率和死区时间等参数，为实验提供了极大的灵活性。该套装还支持与HSDT-KIT-B开发套件结合使用，以进行软件开发，用于可再生能源、光伏等领域。▲ Murata MGN1系列GaN微型转换器
2024年初，村田制作所（Murata）推出基于GaN技术的MGN1系列微型DC/DC转换器，专为直流电机控制器中的逆变器供电场景开发。
该系列产品采用GaN FET器件，通过高功率密度设计实现小体积（最小14.5x12mm）与高效能转换，可输出125mA电流及1W标称功率。其宽泛热容差、高绝缘电压与极低绝缘电容特性，进一步提升了系统可靠性。模块采用SMD封装工艺，便于集成至紧凑型伺服/微电机控制器、工业自动化电路及物联网（IoT）设备中，满足空间受限场景的电源管理需求。
▲ 泰坦新动力推出GaN PCS高压直流母线平台
泰坦新动力官网披露了旗下最新技术方案的相关信息，旗下的PCS高压直流母线平台采用了第三代半导体GaN技术，实现了多功能、高集成化的高压三电平技术控制。这种技术通过原边串联和副边并联的方式，使得模块体积更小且具有高功率密度。GaN技术的应用使得设备在满足差异化需求的同时，保证了电池的完全隔离和系统的安全性。该平台的最大转换效率达到98.5%，噪声低于75dB，模块充电和放电效率均不低于90%。载货飞机、航天航空等其他领域：
GaN正拓宽应用边界
▲ FLYING WHALES推出GaN商用飞机
BrightLoop官网透露， FLYING WHALES发布的第一架商用飞机 LCA60T的电机上，已正式启用BrightLoop的DC-AC 逆变器，主要负责动力推进、货物升降等运行工作。据悉，BrightLoop的电源转换器采用了先进的半导体技术，包括碳化硅和氮化镓，分别用于高压和低压系统，可提高性能并减小尺寸。早在2020年，他们就与GaN Systems合作，利用 GaN Systems 的650V GaN 晶体管共同开发用于电动赛车运动和航空航天应用的最新 AC/DC 和 DC/DC 转换器产品。3月7日，Frontgrade Technologies成功测试了其基于GaN的DC-DC转换器和配套的电磁干扰（EMI）滤波器，这些设备旨在满足从低地球轨道（LEO）到地球静止轨道（GEO）的空间任务的严格性能要求。测试包括了多项严格的测试方法，如温度循环、恒定加速度、随机振动等，以确保设备的可靠性和性能。Frontgrade的28V GaN DC-DC转换器利用先进的GaN FET技术，为航天器设计师提供了目前最高效的功率转换解决方案之一，效率高达93%。该转换器以其快速切换、改进的性能和小体积设计，能够快速响应动态功率需求，并提供多种电压输出，以满足当前和未来空间应用的需求。Frontgrade的GaN转换器已经过严格测试，证明其在解决下一代卫星的关键电源管理需求方面的可靠性。▲ GaN PoE++交换机——跨领域高密度供电解决方案3月10日，TRENDnet推出的GaN PoE++交换机（TPE-BG5062和TPE-BG5091）利用氮化镓技术，实现了更高的功率密度和效率，同时减少了碳足迹。这些交换机支持高达95瓦的PoE功率输出，非常适合高功率PoE设备，如先进的安全摄像头和高功率接入点。GaN技术使得电源供应更高效，体积更小，减少了内部电源产生的热量，从而减少了或消除了对冷却风扇的需求。此外，这些交换机具备2.5G PoE++端口，兼容现有的Cat5e或更高级别的线缆，并配备10G SFP+端口，支持超快连接速度和长距离光纤应用。这些交换机还支持过流和短路保护，坚固的金属外壳设计使其既坚固又轻便。本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
意法半导体：推进8英寸SiC战略，引领行业规模化发展
