近期，兆驰半导体、高科华烨、高科视像等企业陆续公示Micro LED专利，涉及MiP、芯片、外延片等技术。
插播：加入薄膜Micro LED显示群，请联系凌语VX：hangjia188
■ 兆驰半导体：3项Micro LED专利进入授权阶段近期，兆驰半导体3项micro LED专利进入有效授权阶段，涉及Micro LED外延片、Micro LED芯片制造。4月1日，“MicroLED外延片及其制备方法、MicroLED芯片”相关专利进入有效授权阶段。本发明涉及光电技术领域，公开了一种Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片，所述Micro LED外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层；第一多量子阱层包括至少一组依次层叠的第一InGaN量子阱层、第一AlGaN/GaN超晶格层和第一GaN量子垒层，第二多量子阱层包括至少一组依次层叠的第二InGaN量子阱层、第二AlGaN/GaN超晶格层和第二GaN量子垒层，第三多量子阱层包括至少一组依次层叠的第三InGaN量子阱层、空穴注入层和第三GaN量子垒层。本发明提供的Micro LED外延片能够提高Micro LED芯片在低工作电流密度下的光效。3月18日，“Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”、“高光效Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”专利均进入有效授权阶段；两大发明均可提升发光效率。Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED专利详情如下：Micro‑LED外延片依次包括衬底、N型GaN层、第一多量子阱层和P型GaN层，第一多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和第一量子垒层；量子阱层包括依次层叠的第一GaN层、第一InGaN层、InxGa1‑xN层和AlN层；第一量子垒层包括依次层叠的第一AlGaN层、N型AlαGa1‑αN层、非掺杂AlaGa1‑aN层、N型AlβGa1‑βN层和第二GaN层；第一InGaN层中In组分占比呈递增变化，且其最大值≤x；第一AlGaN层中Al组分呈递减变化，且其最小值≥α。高光效Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED专利详情如下：
Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴扩展层、空穴存储层和空穴层；空穴扩展层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的BN层和Mg轻掺GaN层；空穴存储层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的GaN层、InGaN层和Mg掺AlGaN层；空穴层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的P型BInGaN层、Mg3N2层和P型GaN层；P型GaN层的掺杂浓度≥1×1019cm‑3。
3月28日，山西高科华烨电子集团有限公司“一种量子点MicroMIP器件制备方法”相关专利进入授权阶段。专利详情如下： 本发明涉及半导体显示技术领域，具体公开了一种量子点Micro MIP器件制备方法，包括：S1、准备原材料；S2、蓝宝石涂布；S3、巨量转移；S4、量子点槽；S5、量子点喷涂；S6、量子点封装；S7、激光剥离；S8、RDL封装；S9、器件切割；S10、器件分测。本发明通过将蓝光Micro COW与量子点材料结合，实现了色彩转换，从而能够生成红光与绿光，进一步提高了显示器件的色彩饱和度和细腻度，有助于提升整体的显示画质，采用巨量转移技术和激光剥离技术，使得芯片的转移和封装过程更加高效和精确，降低了制造过程中的损耗，有助于控制制造成本，且器件的切割和封装工艺也经过优化，确保了器件的性能和质量，同时提高了生产效率。3月11日，山西高科视像科技有限公司“一种单片集成共阴全彩MicroLED器件的制备方法”的发明专利进入实质审查阶段。本发明属于Micro LED显示技术领域；先将石墨烯量子点喷涂到Micro LED发光器件表面形成量子点涂层；将量子点涂层平均分为红光石墨烯量子点涂层区域、绿光石墨烯量子点涂层区域和蓝光石墨烯量子点涂层区域；先让红光石墨烯量子点涂层区域与N元素掺杂剂接触，再让待掺杂的绿光石墨烯量子点涂层区域与N元素掺杂剂接触，蓝光石墨烯量子点涂层区域不与N元素掺杂剂接触；本发明通过一张量子点涂层转换为红、绿、蓝三色光，以此降低RGB全彩化工艺难度、规避良率，解决高成本返修问题，同时还可以提高显示的均匀性。
相关阅读：
产能已达3万㎡/月，兆驰COB下一步规划是？
高科华烨Mini BLU项目开启招标
