插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。
今天，中国氮化镓领军企业英诺赛科与欧洲芯片巨头意法半导体宣布达成8英寸氮化镓晶圆制造的战略合作，这一场横跨中欧的产业联动或将在重塑功率半导体行业格局，这次合作可能是标志着氮化镓技术从“替代性创新”迈向“主流化普及”的关键转折。
4月1日，英诺赛科与意法半导体共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议，双方将基于该协议充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案性能和供应链韧性。双方达成联合开发氮化镓功率技术的共识，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域获得广泛应用的光明前景。根据协议，英诺赛科和意法半导体将互相利用对方的制造产能生产氮化镓晶圆。英诺赛科可使用意法半导体在中国以外的产能，而意法半导体可利用英诺赛科在中国的产能，双方合作旨在拓展氮化镓产品组合和市场供应能力，并通过优化供应链布局，满足客户对多样化应用的需求。英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士表示：“氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。英诺赛科率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，累计出货超10亿颗氮化镓器件，覆盖多领域市场，我们对于与意法半导体达成战略合作感到非常振奋。此次与意法半导体的战略合作将进一步扩大和加速氮化镓技术普及，双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术。”意法半导体的模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部总裁Marco Cassis表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将最大化发挥这一模式的优势，惠及全球客户。一方面，意法半导体将加速氮化镓功率技术路线图，以补充现有的硅和碳化硅产品供应体系；另一方面，意法半导体还将通过灵活的制造模式服务全球客户。”加入氮化镓大佬群，请加微信：hangjiashuo999“行家说三代半”认为，这一合作将有利于进一步加快英诺赛科的全球化发展步伐。2024年年度财报显示，英诺赛科去年的总销售收入达到8.285亿元，同比2023年增长了39.8%，其中海外销售收入达1.264亿元，已经占到总收入的15.3%，同比增长118.1%。在海外市场，英诺赛科已经与欧美多个传统功率芯片大厂展开战略合作，借助意法半导体的氮化镓晶圆厂，英诺赛科的氮化镓芯片有望加快在消费电子、汽车电子等领域的大规模应用，推动氮化镓芯片出货量的不断攀升。行家说《季报2025Q1》即将发布，欢迎扫码联系订阅
据“行家说三代半”的产业追踪和观察，意法半导体对氮化镓的市场前景一直都非常看好。2023年，意法半导体执行副总裁、中国区总裁曹志平曾公开表示：“ST非常看好氮化镓技术的未来前景，将在氮化镓应用领域复制我们在碳化硅市场的成功故事。为此，我们正在公司内部和外部布局并建设重要的基础设施，以应对这两个重要行业在电动化和数字化转型中对氮化镓的需求增长。”早在2018年-2020年，意法半导体在氮化镓领域就进行了三方面的布局：一是开发氮化镓功率半导体生产工艺，改建8英寸生产线：2018年，意法半导体和CEA Tech下属研究所研究所Leti合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术，2019年投资1亿欧元先在法国图尔建设了8英寸氮化镓研发线，2020 年前意法半导体在法国图尔的前端晶圆厂建立一条8英寸氮化镓量产线，包括 GaN/Si 异质外延，并投入初步生产。2019年意法半导体与MACOM 达成硅基氮化镓的生产合作，意法半导体将扩大6英寸硅基氮化镓产能，并按需扩大8英寸氮化镓产能，以支持全球5G电信建设。2020年意法半导体宣布收购法国Exagan公司的多数股权的并购协议，借助Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验将拓宽并推进意法半导体的汽车、工业和消费用功率GaN的开发规划和业务。不过，此前由于氮化镓市场需求并没大幅增加，为此2020-2023年意法半导体的氮化镓主要由台积电代工生产氮化镓。2020年意法半导体与台积电达成合作，意法半导体的氮化镓产品将采用台积电的先进制造工艺。随着氮化镓市场需求越发明朗，2023年，意法半导体开始批量生产GaN 器件，进一步拓展GaN功率器件的应用边界。“行家说三代半”认为，意法半导体与英诺赛科的合作，有2个方面的好处：众所周知，现阶段全球的E-mode氮化镓晶圆代工厂较少，大部分头部厂商都在台积电代工，产能相对紧张。英诺赛科作为全球最大的8英寸氮化镓生产制造商，截至2024年末，英诺赛科晶圆产能达1.3万片/月，未来计划将产能扩充至2万片晶圆/月。据了解，未来五年，英诺赛科的氮化镓产能拟扩至每月7万片。因此，英诺赛科充沛的产能有助于意法半导体及时为汽车、工业和消费等广泛客户提供氮化镓器件。二是可以大幅降低氮化镓的生产成本，助力中国下游客户导入氮化镓:根据英诺赛科的财报，2024年他们实施降本增效措施，使得生产成本快速下降。首先，英诺赛科的氮化镓晶圆整体良率达95%，单位制造成本下降近40%。其次，英诺赛科新开发了高低压3.0代工艺技术平台，在晶圆产出效益方面较已量产工艺平台大幅提升，单位晶圆芯片产出量提升30%以上，并且芯片关键性能指标进一步优化。英诺赛科与意法半导体的合作，不仅是两家行业巨头的强强联合，更是氮化镓技术发展的重要里程碑，这一合作将为氮化镓技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域的广泛应用注入强劲动力，也将为全球能源转型注入强劲动能。本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
