插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）
近期，在大尺寸碳化硅衬底技术攻坚中，山西天成与晶驰机电实现12英寸SiC技术突破：▲ 山西天成：依托全产业链自主可控优势，其12英寸碳化硅长晶炉已进入炉体组装和工艺调试阶段，计划今年第三季度投放市场。▲ 晶驰机电：首创电阻法多尺寸兼容设备，实现全球首个“8/12英寸双轨生产”模式，为行业提供低成本扩径量产新范式。3月22日，据“尖草坪发布”消息，山西天成科技副总经理仝晓刚透露，该公司自主研发的12英寸碳化硅长晶炉已进入炉体组装和工艺调试阶段，计划于今年第三季度投放市场。山西天成于2021年8月成立，由第三代半导体材料领域高层次人才发起，团队常年深耕碳化硅单晶衬底制备科研领域，技术方面具有核心竞争优势。该公司的技术研发和生产涉及碳化硅粉料合成、装备设计等制造全流程，形成了碳化硅衬底材料生产的优势闭环。据“行家三代半”此前报道，2023年11月，山西天成通过PVT长晶法，开发出了“TSD”密度为零和BPD密度低至32个/cm2的6英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备。同年6月，山西天成还实现了8寸SiC单晶技术研发突破，开发出了直径为202mm的8寸SiC单晶，各项参数指标良好。此外，该公司位于山西太原中北开发区的项目一期已经建成投产，建设完成后可年产5万片碳化硅衬底。2024年该公司还将开始建设项目二期，包括厂房扩建、设备扩充以及构建多条切磨抛加工线。据报道，2024年，山西天成的组合营收达到2100万元，其中80%来自碳化硅单晶衬底生长装备的销售。此外，公司在2025年第一季度已经收到了500万元的订单。3月24日，晶驰机电官方宣布，他们在12寸碳化硅晶体生长技术上取得新进展，成功开发出电阻法12寸碳化硅晶体生长设备。据悉，该晶锭形态完美，表面微凸度精准控制在2.4mm以内，成功突破同一炉台多尺寸生长技术壁垒，实现了同一台设备既可稳定量产八寸碳化硅单晶，又完全具备生长十二寸碳化硅单晶的能力。晶驰机电成立于2021年7月，其总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心，目前该公司产品包括6英寸水平进气和8英寸垂直进气碳化硅外延设备（LPCVD法），金刚石晶体生长设备（MPCVD法），氮化铝晶体生长设备，碳化硅源粉合成炉，碳化硅晶体生长设备（PVT法），氧化镓单晶生长炉（导模法、CZ法），各种晶体和晶片热处理炉。达产后预计实现年产值1.4亿元。据“行家三代半”此前报道，2024年11月，晶驰机电在河北石家庄建有一个半导体材料研发生产项目，并于11月初投产。该项目总投资2亿元，占地约50.26亩，总建筑面积约20000平方米，分两期建设，一期建设计划时间为2025年—2026年。该项目以金刚石设备与碳化硅外延设备为产品核心，专注于第三代和第四代半导体材料装备的研发、生产。此外，2024年10月，晶驰机电还完成了数千万首轮融资，由河北正茂产业投资有限公司领投，该融资资金将用于研发投入，扩大生产规模，提高产品质量和服务水平。
