台积电先进封装，再度领先！

据报道，英伟达（NVIDIA）的下一代 Rubin AI 架构将采用该公司首个 SoIC 封装，随后苹果和台积电显然已开始为此做准备。台积电已开始在台湾快速建设工厂，以将其重点从先进封装 (CoWoS) 转向 SoIC（集成芯片系统）。

报道指出，台积电建厂速度快速，先进封装厂南科AP8及嘉义AP7将于下半年陆续上线。设备业者指出，第二季南科厂设备开始进驻、第三季底嘉义厂随后跟上。人力部分，台积电同样积极准备，在当地招募作业员之外，也将从8吋厂调派人力前往支援。

半导体业者透露，晶圆代工龙头未来会将先进封装重点摆在SoIC，苹果、AMD外，英伟达Rubin芯片将开始导入，为其首款采用Chiplet设计之GPU。

业者指出，SoIC有别于过往SoC将多元功能整合至单芯片，SoIC允许将功能、构造不同的「芯片」串联，减少芯片内部线路布局的空间、进一步降低成本。供应链透露，AMD为最早导入之业者，今年下半年苹果将跟进，于M5芯片导入SoIC先进封装。

研调机构预估，台积电今年底SoIC产能将达1.5～2.0万片，明年翻倍扩增。不过设备业者透露，必须等到Rubin GPU完成流片（Tape-out）才能确定，今年以CoWoS机台交机为主；其中，台积电CoWoS机台将于第二季开始陆续出货，从南科厂开始，第三季底则会至嘉义厂，大多为CoWoS-L、少部分则是CoWoS-R。

不过设备业者透露，群创AP8场地规模月产能上看9万片，然目前CoWoS看似已不会再扩产。推测背后原因可能与英伟达GB系列出货不顺、芯片制造与组装步调不一致有关。

对于那些不知道 SoIC 的人来说，它是一种先进的芯片堆叠技术，允许将多个芯片集成到一个功能强大的封装中。这意味着可以将多个芯片（例如 CPU、内存和 I/O）安装在单个芯片上，从而为芯片设计和针对特定应用的优化提供更大的灵活性。我们已经在 AMD 的 3D V-Cache CPU 中看到了 SoIC 的应用，其中额外的缓存内存垂直位于处理器芯片的顶部，而且 NVIDIA 和 Apple 似乎也计划效仿。

从Team Green 的 Rubin 产品线开始，我们知道该架构将采用功能性 HBM4 的 SoIC 设计。据说 Vera Rubin NVL144 平台采用带有两个 Reticle 大小芯片的 Rubin GPU，具有高达 50 PFLOP 的 FP4 性能和 288 GB 的下一代 HBM4 内存。更高级的 NVL576 将采用带有四个 Reticle 大小芯片的 Rubin Ultra GPU，提供高达 100 PFLOPS 的 FP4 和分布在 16 个 HBM 位置上的 1 TB 总 HBM4e 容量。

台积电的SoIC封装产能预计到2025年底将提升至2万片，但业界关注焦点仍集中在CoWoS技术——至少在英伟达2025年底至2026年初推出Rubin平台前，这一趋势不会改变。