五分钟了解产业大事
每日头条芯闻
高通在全球三大洲指控Arm反垄断竞争
消息称高通对三星失去信心，骁龙8s Gen 4芯片由台积电4nm工艺独家代工
消息称高通明年末旗舰、次旗舰骁龙移动处理器均采用2nm制程
戴尔本财年裁员规模达10%
英特尔前CEO帕特・基辛格力挺继任者陈立武，抨击华尔街“短视”
机构称英特尔争取英伟达和博通订单
苹果COO Jeff Williams到访供应链企业歌尔股份，官宣7.2亿元人民币投资基金
机构：台积电亚利桑那州厂晶圆生产成本仅比中国台湾高10%
俄罗斯完成首台350nm光刻机开发，将批量生产
广汽否认收购恒大汽车南沙工厂
中微公司在等离子体刻蚀技术领域实现重大突破
SEMI：2025年全球晶圆厂设备投资将增至1100亿美元
博通紧急修复VMware Tools高危认证绕过漏洞
TrendForce：2025年二季度一般型DRAM内存价格环比跌幅预计收敛至5%以内
TrendForce预测2025年Q2 NAND Flash闪存价格止跌回稳，消费级SSD合约价环比上涨3%~8%
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【高通在全球三大洲指控Arm反垄断竞争】
据彭博社援引知情人士的话透露，高通已向欧盟委员会、美国联邦贸易委员会（FTC）及韩国公平交易委员会提交机密文件，指控Arm涉嫌滥用市场支配地位实施反竞争行为。
在与监管机构的私下会议和保密文件中，高通指控Arm在运营开放授权模式20余年后，突然限制技术访问权限，试图通过自研芯片业务提升利润。具体表现为：拒绝提供协议范围内的关键技术；修改授权条款阻碍客户产品开发；利用指令集架构垄断地位挤压下游厂商。
高通表示，Arm正“不择手段”提升财务表现，包括终止与部分客户的授权协议、要求芯片厂商签订捆绑协议、强制收取更高专利费。高通认为，Arm通过开放的许可模式建立了对其技术的严重依赖，这也促进了一个蓬勃发展的芯片产业。高通向全球竞争管理机构表示，由于Arm种种限制行为，目前市场正在受到威胁。
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【戴尔本财年裁员规模达10%】
据路透社报道，戴尔科技表示，其员工总数在2025财年减少了10%，但仍重申对多元化与包容性的承诺。
在年度报告中，戴尔披露，截至1月31日，员工总数约为10.8万人，较上年同期的12万人有所减少。戴尔表示，为了削减成本，其采取了包括限制外部招聘和调整员工编制在内的措施。
与此同时，戴尔在报告中依然保留了关于多元化与包容性的承诺。戴尔科技表示：“我们致力于提供平等的就业机会，并持续推进包容性政策，以实现这些目标。”
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【机构称英特尔争取英伟达和博通订单】
瑞银（UBS）分析师指出，英特尔可能把当前的战略转向聚焦芯片设计，并透过争取英伟达、博通等重要客户，来壮大晶圆代工事业。
瑞银分析师亚库瑞（Timothy Arcuri）在报告中表示，在新执行长陈立武领导下，英特尔近期的振兴计画可能是强化设计和晶圆代工能力。亚库瑞也表示，英特尔致力于从英伟达和博通获得用晶圆代工服务的承诺，盼这些重要客户采用英特尔推动的18A制程。
此外，英特尔正在开发一个新的、较低阶的先进制程版本，称为“18AP”，可能对这些潜在客户更有吸引力。英特尔说，英伟达似乎比博通更接近要采用英特尔的芯片技术，可能是供游戏应用使用，但能耗问题仍是一大隐忧。
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【机构：台积电亚利桑那州厂晶圆生产成本仅比中国台湾高10%】
根据TechInsights分析师G. Dan Hutcheson的最新研究显示，台积电亚利桑那州凤凰城附近的Fab 21晶圆厂的晶圆成本仅比中国台湾生产的类似晶圆高出约10%。
虽然在美国建造晶圆厂的成本肯定高于中国台湾，但据G. Dan Hutcheson称，台积电的成本明显更高，因为它在全新的地点建造几十年来第一座海外晶圆厂，且面临新的劳动力、有时这些员工缺乏技能。据其他熟悉晶圆厂建设过程的人士称，在美国建造晶圆厂的成本并不是中国台湾的两倍。
半导体生产成本的主要因素是设备成本，这占晶圆总成本的三分之二以上。ASML、应用材料、KLA（科磊）、泛林集团或Tokyo Electron（TEL）等领先公司制造的工具在中国台湾和美国的成本相同，它们有效地抵消了基于地点的成本差异。
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【中微公司在等离子体刻蚀技术领域实现重大突破】
近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。
据介绍，这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一。
据中微公司透露，CCP的双台机Primo D-RIE®和Primo AD-RIE®的加工精度，两个反应台的刻蚀重复性和在生产线上的重复性也早已达到和Primo Twin-Star®相同的水平。在两个反应台各轮流加工1000片的重复性测试中，两个反应台的平均刻蚀速度相差，只有每分钟９埃，小于1.0纳米。
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【SEMI：2025年全球晶圆厂设备投资将增至1100亿美元】
SEMI在其最新的季度全球晶圆厂预测报告中宣布，预计2025年全球晶圆厂前端设施设备支出将同比增长2%至1100亿美元，这是自2020年以来连续第六年增长。
SEMI预计，晶圆厂设备支出2026年将增长18%，达到1300亿美元。SEMI指出，投资增长不仅受到高性能计算（HPC）和内存领域支持数据中心扩展的需求推动，还受到人工智能（AI）日益融合的推动，这推动了边缘设备所需的硅含量增加。
按投资领域来看，逻辑与微电子领域预计将成为晶圆厂投资增长的主要驱动力。这一增长主要得益于对尖端技术的投资。逻辑与微电子领域的投资预计将增长11%，2025年达到520亿美元，随后在2026 年增长14%，达到590亿美元。未来两年存储领域整体支出将稳步增长，2025年将增长2%，达到320亿美元，2026年的增长预测甚至将达到27%。
按地区来看，SEMI指出，尽管2025年中国半导体设备支出较2024年的500亿美元峰值有所下降，但预计中国仍将保持全球半导体设备支出领先地位，预计今年支出将达到380亿美元，同比下降24%。到2026年，预计支出将进一步同比下降5%至360亿美元。
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