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车载Nch MOSFET“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”的耐压分别为40V、60V和100V，均通过采用split gate实现了低导通电阻，有助于车载应用的高效运行。所有型号的产品均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，并确保高可靠性。

封装有适用于不同应用的3种形式。小型封装DFN2020Y7LSAA（2.0mm×2.0mm）和HSMT8AG（3.3mm×3.3mm）非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）等安装面积较小的应用。另外还有已被广泛用于车载电源等应用的TO-252（DPAK）封装（6.6mm×10.0mm）。DFN2020Y7LSAA封装的引脚采用的是可润湿侧翼（Wettable Flank）成型技术，TO-252封装的引脚采用的是鸥翼型结构，安装可靠性都非常高。

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1. 与以往TO-252封装（6.60mm × 10.00mm × 2.30mm）的产品相比，该产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。另外，该产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案（焊盘图案），因此也可以直接使用现有的电路板。

2. 五款产品分别适用于小型电源和电机应用，各有不同的特点。

适用于小型电源的有3款型号，“R6004END4”具有低噪声的特点，适用于需要采取降噪措施的应用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点，适用于需要低损耗且高效率工作的应用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间（trr）并大大降低了开关损耗，属于“PrestoMOS”产品，非常适用于电机应用。

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1. 采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron） （Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。

2. 通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。

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1. 该产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron），相比以往产品，导通电阻降低了50%。

2. 通过改进栅极结构，Qgd（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。