据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。
据悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再通过光学系统调整，用于光刻设备。
中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计，由自制的Yb:YAG晶体放大器生成1030nm的激光，在通过两条不同的光学路径进行波长转换。
一路采用四次谐波转换(FHG)，将1030nm激光转换为258nm，输出功率1.2W。
另路径采用光学参数放大(OPA)，将1030nm激光转换为1553nm，输出功率700mW。
之后，转换后的两路激光通过串级硼酸锂(LBO)晶体混合，生成193nm波长的激光光束。
最终获得的激光平均功率为70mW，频率为6kHz，线宽低于880MHz，半峰全宽(FWHM)小于0.11pm(皮米，千分之一纳米)，光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。
基于此，甚至可用于3nm的工艺节点。
这种设计可以大幅降低光刻系统的复杂度、体积，减少对于稀有气体的依赖，并大大降低能耗。
相关技术已经在国际光电工程学会(SPIE)的官网上公布。
不过相信大家也看出来了，这种全固态DUV光源技术虽然在光谱纯度上已经和商用标准相差无几，但是输出功率、频率都还低得多。
对比ASML的技术，频率赢达到了约2/3，但输出功率只有0.7％的水平，因此仍然需要继续迭代、提升才能落地。
在当今半导体产业中，ASML无疑是光刻设备领域的王者，全球最先进的半导体制造厂商，如台积电、英特尔、三星等，都高度依赖ASML提供的设备。
然而，很少有人知道，这个如今在全球占据主导地位的巨头，最初竟然是从一个漏水的棚子起步的。
根据最新报道，ASML最初是由飞利浦与先进半导体材料国际公司（ASMI）合作创立的，当时，两家公司看到了曝光设备市场的潜力，决定共同建立一家专注于这一领域的新公司。
不过ASML的起点并不理想，它的第一个基地位于荷兰恩荷芬的Strijp-T原飞利浦园区，那是一个真正会漏水的单层预制建筑，与飞利浦TQ大楼的一楼相连，旧照片显示，当时的ASML基地确实是一个摇摇欲坠的棚子。
在1970年代初的研发基础上，ASML很快推出了其首个系统——PAS 2000 stepper曝光机，公司业务也迎来蓬勃发展。
1985年，ASML迁入了专门为它建造的办公室和工厂，巧合的是，ASML与镜头制造商卡尔蔡司的合作关系也在此时签署，并一直持续至今。
进入1990年代，ASML推出了其突破性平台PAS 5500曝光设备，凭借这一成功，ASML凭借其领先业界的曝光设备生产力和分辨率，最终在荷兰和纽约证券交易所成功上市。
2001年，ASML推出了第一台采用革命性双级技术的Twinscan机器，如今，ASML凭借其EXE平台和High-NA技术再次达到了竞争对手无法突破的界限。
ASML最新的年度报告显示，其营收接近310亿美元，业务遍及60多个国家地区，员工超过44000名。
另外，三星电子已于本月初在其华城园区引入首台ASML生产的High-NA EUV光刻机——EXE:5000，价值高达5000亿韩元（约合24.88亿元人民币）。
ASML是目前全球唯一能够提供此类设备的供应商，其通过增大透镜和反射镜尺寸，将数值孔径（NA）从0.33提升至0.55，显著提高了光刻精度，是2nm及以下制程的必备工具。
与现有EUV设备相比，High-NA EUV能够实现更窄的电路线宽，从而降低功耗并提升数据处理速度。
三星电子计划在完成设备安装后，全面构建2nm工艺生态系统，三星晶圆代工业务部负责人强调，尽管公司在GAA工艺转换上领先，但在商业化方面仍需加速，2nm工艺的快速量产是其首要任务。
TrendForce数据显示，三星在2023年第四季度全球晶圆代工市场排名第二，但其收入环比下降1.4%，市场份额仅为8.1%。
相比之下，台积电以67%的市场份额保持领先地位，此次引入High-NA EUV光刻机，三星有望加速其在先进制程上的商业化进程。
