随着5G通信、卫星载荷及高能物理装置对射频功率器件的需求迈入太赫兹频段与千瓦级功率门槛,以金刚石为代表的超宽禁带半导体材料(禁带宽度5.47 eV,击穿场强>10 MV/cm,热导率2200 W/m·K)被视为突破现有氮化镓(GaN)器件性能极限的核心材料。
然而,金刚石器件产业化面临核心挑战,掺杂面临激活率低,氢终端金刚石表面导电层的载流子迁移率受限于衬底和表面杂质,以及表面损伤,导致空穴迁移率低(通常低于150cm²/(V·s),造成材料性能优势难以发挥。
2025(第五届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛
4月10-12日 浙江 宁波
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论坛信息
Forum Info
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论坛组织
Forum organization
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论坛设置
Forum Settings
4月10日(星期四)
12:00-17:00 大会签到、注册
18:00-20:30 闭门会议(邀请制)
4月11日(星期五)
09:00-12:00 开幕活动、主论坛专题报告
12:00-13:30 午餐
13:30-18:00 专题报告
18:30-20:00 欢迎晚宴
4月12日(星期六)
09:00-12:00 专题报告
12:00-13:30 午餐
14:00-16:30 专题报告
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