【DT半导体】获悉，在半导体材料领域，新一代半导体材料正蓄势待发，从硅基时代到宽禁带材料的崛起，每一次技术突破都在重塑产业格局。如今，以氧化镓、金刚石、氮化铝为代表的新一代半导体材料，正凭借颠覆性性能掀起新的革命浪潮。其中，金刚石以“性能天花板”，成为行业关注焦点。
镓仁半导体8英寸氧化镓晶圆衬底
氮化铝同样是超宽禁带半导体材料的重要成员，禁带宽度高达 6.2eV，在深紫外光电器件方面潜力巨大。其高击穿电场强度、极高热导率以及出色的化学和热稳定性，使其在电力电子、微波射频、航空航天等领域应用广泛。例如，在电网级应用中，氮化铝衬底可减小系统尺寸并增强控制能力；在微波射频领域，氮化铝平台器件可解决射频器件热管理难题。
最新突破：
我国奥趋光电已成功开发3英寸氮化铝单晶衬底，并具备量产能力，其深紫外（UVC）光透过率高达83%，适用于深紫外LED、激光器、高功率电子器件等领域。
金刚石，性能天花板
金刚石作为超宽禁带半导体材料，性能堪称 “天花板”。其禁带宽度高达 5.45eV，热导率极高，室温下可达 2200W/(m・K)，是硅的 13 倍，还具有高击穿电场强度和抗辐照等优点。在电子信息领域，金刚石基高频、高功率器件可用于 5G 和 6G 通信基站；在能源领域，可用于电动汽车电池管理系统和光伏逆变器；在航空航天领域，是制造高性能雷达、卫星通信设备的关键材料。
我国在金刚石研究方面取得突破，黄河旋风与华为合作开发热导率超 2000W/m・K 的多晶金刚石热沉片，用于 5G 基站和 AI 芯片散热，北方华创布局新一代半导体材料设备研发，为金刚石半导体器件制造提供支持。
最新突破：
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2025（第五届）碳基半导体材料与器件产业发展论坛
4月10-12日 浙江 宁波
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4月10日（星期四）
12:00-17:00 大会签到、注册
18:00-20:30 闭门会议（邀请制）
4月11日（星期五）
09:00-12:00 开幕活动、主论坛专题报告
12:00-13:30 午餐
13:30-18:00 专题报告
18:30-20:00 欢迎晚宴
4月12日（星期六）
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12:00-13:30 午餐
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