从衬底向上依次生长：
衬底（Substrate）：如InP（用于长波长）、GaAs（用于短波长）。
缓冲层（Buffer Layer）：减少衬底缺陷，如非故意掺杂InP。
下限制层（Lower Cladding Layer）：低折射率、宽禁带材料（如InP），限制光场纵向扩展。
下波导层（Lower Waveguide）：稍窄禁带材料（如InGaAsP），引导光场。
有源层（Active Layer）：
量子阱（QW）结构：多量子阱（MQW）设计（如InGaAsP/InGaAs），厚度通常5-20 nm，提升载流子限制和增益。
势垒层（Barrier）：如InGaAsP，调节能带对齐。
上波导层（Upper Waveguide）：与下波导对称或优化设计。
上限制层（Upper Cladding Layer）：如InP，与下限制层共同形成光波导。
接触层（Contact Layer）：重掺杂（如InGaAs），降低欧姆接触电阻。
