二次整流电路会面临哪些设计难题?

原创 亚德诺半导体 2025-03-25 18:15
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对于有源钳位正激转换器(ACFC),占空比是一个关键参数,会影响输出电压和效率。通常,正激转换器的最大占空比以50%为限。采用有源钳位技术,占空比可以高于50%,超越传统设计的限制。有许多文章都说明了最大占空比与ACFC拓扑之间的关系,但讨论如何设计最小占空比的文章并不多。
本文以隔离式ACFC电源为例,阐述最小占空比对设计的影响。该转换器用于将输入24 VAC或48 ~ 60 VDC,转化为15VDC,1.5 A输出。其隔离特性使其适合为现场工业应用供电。ACFC拓扑帮助实现了高达91%的峰值效率。设计要求如表1所示。

表1. 设计要求

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ADI公司的 MAX17598是有源钳位电流模式PWM控制器,其中包含隔离正激转换器电源设计所需的所有控制电路。本文深入探讨了二次自整流电路设计的考虑因素和评估结果。


01
二次自整流电路的设计考虑

ACFC通过使用自整流电路,实现了更高的效率。图1为基于MOSFET的典型自整流电路原理图。与传统的二极管整流电路相比,MOSFET的导通电阻更低,所以其电路效率更高,尤其是在低电压、大电流输出的情况下。


Figure 1. General output self-rectified circuit.
图1. 通用输出自整流电路


然而,当输出电压接近或超过 MOSFET栅极电压工作范围时,这个设计就不合适了。我们可以通过附加电路来产生这些MOSFET的栅极驱动电压。图2为该电路的细节信息。G1和G2连接到变压器的辅助绕组。


Figure 2. Gate driving circuit from the auxiliary winding transformer.
图2. 辅助绕组变压器中的栅极驱动电路


栅极1连接到N2的栅极(如图1所示),栅极2连接到N1的栅极。栅极1和栅极2与开关周期同步。当栅极1输出高电平时,栅极2输出低电平,反之亦然。完整电路如图3所示。


图3. 性能测试使用的示例电路


该环路必须确保输出处于MOSFET VGS的工作范围内。公式1反映了栅极驱动电压与匝数比之间的关系。


Equation 1


KGATE为变压器比率。NG为变压器绕组的匝数。NP为变压器初级绕组的匝数。VGATE_MAX为MOSFET栅极驱动电压的最大电压。VDC_MAX 为直流输入电压的最大电压。


当初级环路的主开关闭合时,施加于变压器的电压为正,即 VDC。因此,栅极1的输出为高电平,栅极2的输出为GND。它与匝 数比和直流输入电压有关。


Equation 2

当主MOSFET关断时,钳位电路将漏极电压限制为VCLAMP。VCLAMP高于VDC,因此栅极1的输出为GND,而栅极2的输出为高电平。


钳位电压可通过下式计算:


Equation 3


栅极2的电压与匝数比以及VCLAMP和 VDCINPUT之间的差距有关。


Equation 4


占空比会随输入电压而变化,因此必须确保栅极的驱动电压能 够以完整的 VIN范围驱动MOSFET。应用最大直流输入和最小导通率 时,栅极驱动电压将达到最小值。


p>在设计示例中,栅极2最低电压可依照式5进行计算。当输入直流电压达到最大值时,栅极2上的电压只有4.23 V。


Equation 5


如果该电压低于VGS导通阈值,则二次整流电路的MOSFET将无法准确工作。这可能导致当输入电压接近最大值时,电源在没有任何负载的情况下无法启动。在示例电路中,VGS阈值电压为3 V, 小于计算出的最小VGATE2 。


图4为示例电路的测量结果。CH1为栅极1的电压。CH2为栅极2的电压。CH4为主面N-MOS的源漏电压。


Figure 4. Gate 1 and Gate 2 voltage and MOSFET drain voltage (V<sub>IN</sub> = 60 V).
图4. 栅极1和栅极2电压以及MOSFET漏极电压(VIN = 60 V) 。


02
示例电路的性能


为了验证栅极驱动电路计算的准确性,我们对示例电路进行了性能测试。图5为不同负载电流(0A、0.5A、1A、1.5A)下的输入和输出电压。


Figure 5. Input and output voltage in different loads.
图5. 不同负载下的输入和输出电压


图6显示了输出电压水平如何随输出电流不同而变化。不同的线表示不同的输入电压。


Figure 6. Output current and output voltage.
图6. 输出电流和输出电压


图7为不同输入电压和负载下的峰值效率。当输入为36 V、输出为1.5 A时,峰值效率达到91%。


Figure 7. Peak efficiency.
图7. 峰值效率


波特图显示了峰值效率工作条件下的环路稳定性,即 VDCINPUT = 36 V、 IOUTPUT = 1.5 A。


图8显示了环路响应。


Figure 8. Bode plot.
图8. 波特图


图9和图10显示了输出峰峰值电压。图9是无负载电流的情况,图10是满负载的情况。


Figure 9. Output peak-to-peak voltage without load.
图9. 空载时输出峰峰值电压


Figure 10. Output peak-to-peak voltage with full load 1.5 A.
图10. 满负载1.5 A时输出峰峰值电压


图11和12显示了负载瞬态响应。图11为负载从零变为满负载。图12为负载从满负载变为零。CH1测量的是输出电压(交流耦合)。CH2测量的是输出负载电流。


Figure 11. Transient response (0 A to 1.5 A).
图11. 瞬态响应(0 A至1.5 A)


Figure 12. Transient response (1.5 A to 0 A).
图12. 瞬态响应(1.5 A至0 A)


03
结论

综上所述,对ACFC的研究让我们对其性能和效率有了重要认识。通过分析二次整流电路的设计以及占空比的影响,我们发现,当需要额外的辅助栅极驱动电路时,最小占空比会受到限制。


此外,ACFC凭借其出色的能量回收特性,成为了有前景的高效电源系统解决方案。通过本文可知,占空比存在一个最佳范围。也就是说,最大占空比和最小占空比对于基于MOSFET的整流电路都很重要。


将本研究的成果应用于设计和实施ACFC,有助于避免设计阶段出现问题。





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