【DT半导体】获悉，3月24日消息，九峰山实验室科研团队近日取得重大突破，成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。
这一里程碑式的成果不仅打破了国际技术垄断，更为射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面的提升提供了强有力的技术支持，将推动下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术的快速发展。研究表明，在高频、高功率器件领域，氮极性氮化镓相较于传统的镓极性氮化镓展现出显著的技术优势。然而，由于材料生长条件严苛、工艺复杂等瓶颈，目前全球仅有少数机构能够小批量生产2-4英寸氮极性氮化镓高电子迁移率衬底材料，且成本高昂，限制了其大规模应用。
九峰山实验室此技术成果，是全球首次在8英寸硅衬底上实现氮极性氮化镓高电子迁移率功能材料（N-polar GaNOI）制备，打破了国际技术垄断。其主要突破体现在以下三个方面：一是成本控制，采用硅基衬底，兼容8英寸主流半导体产线设备，深度集成硅基CMOS工艺，使该技术能迅速适配量产工艺；二是材料性能提升，材料性能与可靠性兼具；三是良率提升，键合界面良率超 99%。以上突破为该材料大规模产业化奠定了重要基础。氮极性氮化镓材料在高频段（如毫米波频段）表现出色，特别适用于5G/6G通信、卫星通信、雷达系统等高频操作领域。随着这一技术的成熟和推广，未来有望在多个高科技领域实现广泛应用，推动相关产业的升级与革新。
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论坛主席：江南，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员DT半导体、洞见热管理、Carbontech、DT新材料、DT芯材、化合物半导体、芯师爷、微纳研究院 Ideal Media4月10日（星期四）
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