据业内人士3月20日透露，三星电子近日从博通的HBM3E 8层质量测试中获得了具有重大意义的成果。分析表明，博通理想的HBM3E速度要求正在得到满足，并且已接近进入供应链。这是首次报道博通与三星电子的HBM3E合作取得重大进展。
博通最近已成为人工智能（AI）半导体领导者英伟达的竞争对手。博通最近因扩展业务为谷歌和Meta等全球大型科技公司设计用于AI数据中心的芯片而受到关注。大型科技公司开始看到成效，它们支持“去英伟达”运动，开发自己的芯片，以减少对英伟达的依赖。
HBM 是一种通过堆叠多个 DRAM 制成的半导体，是安装在 AI 芯片中的必不可少的存储器。直到HBM3E之前，博通主要采用三星电子的产品。然而，HBM3E通过首先批准SK海力士的产品供应，改变了供应链。作为Nvidia HBM3E独家供应商的SK海力士，由于博通订单增加，今年也计划大幅提高HBM用DRAM的产能。
不过，也有人表示，如果三星电子重新进入博通 HBM 供应链，那么可能会出现另一个转折点。
三星电子是全球DRAM产业第一大企业。然而，HBM 领域最近经历了大幅下滑。尤其是HBM3E 8层产品业绩却表现不佳，令NVIDIA的供应链备受打击。
近期，三星一直在向Nvidia提供HBM3E“改进产品”样品，以期通过认证。三星电子副会长全永铉3月19日在水原会展中心举行的三星电子定期股东大会上就HBM3E向英伟达供货的情况表示，“目前正在积极反映客户反馈，致力于提高产品竞争力”。
Nvidia首席执行官黄仁勋也表达了对三星HBM的期待。他于3月19日(当地时间)在NVIDIA年度开发者大会(GTC 2025)举办地美国加利福尼亚州圣何塞举行的全球新闻发布会上表示，“期待三星的参与，三星有能力在基础芯片(Base Die)中结合定制芯片(ASIC)和内存”。
除了 Nvidia 和 Broadcom 之外，三星电子也在积极敲开其他大型科技公司的 HBM 供应链。最近，三星和 Nvidia 一直在对 AMD 的 HBM 进行尽职调查，据说亚马逊也对三星的 HBM 表现出浓厚的兴趣。
三星电子还计划在 HBM4 和定制 HBM 上进行技术押注。据悉，三星电子为了将下一代存储器10㎚（纳米，十亿分之一米）第六代（1c）DRAM应用于HBM4，改变了结构，与现有设计相比，增加了芯片尺寸并提高了稳定性。全永铉强调，针对下一代产品，“我们正在顺利为下半年的量产做准备”。
证券业预测，随着三星电子DS部门进军HBM3E市场以及市场环境改善，今年以来三星电子DS部门的业绩将有所改善。近日，全球投行（IB）摩根士丹利在报告中预测，今年DS部门营业利润为19.125万亿韩元，明年和后年的营业利润将分别为36.03万亿韩元和41.677万亿韩元。摩根士丹利解释道，“DRAM市场正在迅速走出‘低谷’（衰退）。”
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