据行业内部消息，该项目采用全球领先的MPCVD-Ⅲ型智能沉积系统，单炉生长速率高达30μm/h，较传统工艺提升5倍。这一技术突破直接指向电子级金刚石的核心痛点——生长效率与纯度。目前，项目一期规划建设20台工业级沉积设备，年产50万克拉纯度达99.999%（5N级）的电子级金刚石，并重点攻关8英寸单晶衬底技术，为半导体领域提供“终极衬底”材料。
二期进军量子科技：开发金刚石量子传感器，应用于北斗导航芯片抗辐射封装。金刚石中氮空位（NV色心）的量子特性，可大幅提升导航系统在极端环境下的稳定性。
国内金刚石半导体主要进展
2英寸异质外延单晶金刚石实现国产化量产
西安交通大学王宏兴教授团队通过自主研发的 MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）技术，成功实现 2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底 的批量化生产。
从河南“世界金刚石工厂”到新疆、江苏的技术升级项目，中国正以“技术+产能”双轮驱动重塑超硬材料全球版图。四方达等企业通过70万克拉功能性金刚石产线调试，已在高品质CVD金刚石领域建立先发优势。若此次150万克拉项目顺利落地，将加速实现《“十四五”新材料产业发展规划》中“电子级金刚石自主保障”目标，为芯片、量子科技等“卡脖子”领域提供底层材料支撑。
未来，通过异质外延技术创新、 三维集成散热方案及政策驱动产业链协同，中国有望在第三代半导体材料升级中占据先机，逐步填补大尺寸高纯金刚石衬底空白。
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2025（第五届）碳基半导体材料与器件产业发展论坛
4月10-12日 浙江 宁波
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4月10日（星期四）
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18:00-20:30 闭门会议（邀请制）
4月11日（星期五）
09:00-12:00 开幕活动、主论坛专题报告
12:00-13:30 午餐
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