【DT半导体】获悉，3 月 19 日消息，美国 GaN 技术厂商宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）于 2023 年向加州地区法院和 ITC 提起诉讼，声称国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了 EPC 的 4 项专利，并寻求禁售与侵权赔偿。
今日，英诺赛科宣布其在与美国 EPC 发起的专利侵权案中取得决定性胜利：2025 年 3 月 18 日, 美国专利局（USPTO）对 EPC 涉案专利 (US’294 号专利) 作出最终裁定，判决该专利所有权利要求均无效且应被撤销。这一判决从根本上否定了 EPC 针对英诺赛科的指控基础，标志着英诺赛科在 EPC 发起的这场长达两年的专利战中取得了完全胜利。
2023 年 5 月，EPC 在 ITC 对英诺赛科发起专利侵权诉讼调查，宣称英诺赛科侵犯了 EPC 的 US’294 号专利和其他三项美国专利。其后，EPC 主动撤诉其中两项专利。ITC 最终裁定第三项专利没有侵权。对于 US’294 号专利，ITC 裁定部分权利要求有效且被侵权。英诺赛科坚决反对 ITC 有关 US’294 号专利有效及侵权的裁决，并且已于 2025 年 1 月 31 日向美国联邦上诉法院提起上诉。英诺赛科认为 ITC 关于 US’294 号专利的判决有误，应予以推翻。现在，美国专利局（USPTO）关于 US’294 号专利的无效裁定证实了 ITC 先前对该专利的判决存在错误判断，也确定了 EPC 对英诺赛科的指控并无根据，属恶意竞争行为。USPTO 在其最终裁决中指出 EPC 的 US’294 号专利所有权利要求均无效，因为它们仅仅是重复氮化镓（GaN）领域的现有且被广泛使用的通用技术。英诺赛科成立于 2015 年 12 月，是一家总部位于珠海的氮化镓类器件制造商，产品包括高低压氮化镓电源 IC、功率半导体等。2024 年底，英诺赛科在香港联合交易所主板挂牌上市，标志着国内氮化镓半导体第一股诞生。
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