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Part 01
前言
Part 02
电路分析
我们先来看看MOSFET的导通和关断过程是怎么完成的。
导通阶段：当驱动器输出高电平VDRV时，信号通过二极管DON直接作用到MOSFET的栅极。
关断阶段：驱动器输出低电平，OUT信号通过QINV反相后变成高电平，驱动QOFF导通。简单点来说就是OUT输出低以后，此时MOSFET栅极由于栅极电容的存在其电平还是高，DON反向截止，那么MOSFET栅极电容储存的电荷只能通过QOFF基极电阻->QOFF发射极释放，进而QOFF CE会导通，之后MOSFET的栅极被拉低到接近GND，实现快速关断。QINV在这里扮演了“信号反相”的角色，但也带来了不少副作用。
QINV是个反相器，当MOSFET导通时，它会从驱动器中“偷”走一部分电流。这是因为QINV需要维持自身的偏置状态，而这部分电流并不会直接用于驱动MOSFET，而是白白消耗掉了。假设驱动器的工作电压VCC为12V，QINV的偏置电阻为2kΩ，那么偏置电流大约是：
6mA看似不多，但如果PWM信号的占空比是50%，且开关频率是100kHz，这个额外功耗可就不小了：
延迟问题：QINV和QOFF的动作延时
QINV在导通时会进入饱和状态，这会导致关断延时的增加。为什么呢？因为三极管从饱和状态退出时，存储在基极的电荷需要时间释放，这个时间具体取决于三极管的型号和偏置条件。
另外，QOFF的偏置电流建立也需要时间。QOFF的基极电阻和基极寄生电容存在RC时间常数，这意味着偏置电流的建立需要大约几个时间常数才能稳定。这段时间会直接增加MOSFET的关断延迟，影响开关速度，尤其在高频应用中会更明显。
QOFF和QINV是NPN三极管，考虑到它们需要快速开关，建议选择高速开关三极管，比如2N3904。这类三极管的开关时间通常比较快，集电极电流能力在几百mA，足够应对栅极驱动的需求。
RGATE的作用是限制栅极电流，避免冲击过大。假设MOSFET的栅极电容是1nF，驱动电压是12V，目标充电时间是50ns，那么需要的栅极电流为：
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