SK海力士已经开始开发一种新型存储器半导体LPW（低功耗宽I/O）NAND闪存，可实现低功耗和高带宽。该款下一代产品瞄准设备上的人工智能（AI）市场，与现有的NAND闪存相比，有望通过大幅增加数据输入/输出（I/O）数量来最大限度地提高性能。
据半导体业界3月17日报道，SK海力士2月底向韩国知识产权局申请了“LPW NAND”商标。 LPW NAND闪存是一种通过增加I/O数量来提高处理速度，同时通过降低每条路径的速度来降低功耗的技术。该策略是在需要高性能的领域（例如AI推理）提供新的内存解决方案。
据信，LPW NAND闪存的结构与美国内存制造商SanDisk最近发布的“高带宽闪存（HBF）”类似。 SanDisk 是一家专门生产 NAND 闪存存储设备的公司，上个月被西部数据收购，随后分拆出去。近日，SanDisk发布了基于NAND闪存的堆叠高带宽存储器HBF技术。
如果说HBM是通过垂直堆叠多个DRAM来扩展带宽的结构，那么HBF则是通过堆叠3DNAND闪存代替DRAM来大幅增加I/O数量的产品。 SanDisk HBF 第一代可堆叠 16 层，确保高达 512 GB 的容量，目标是在保持与 HBM 相似的带宽的同时将容量提高 8 到 16 倍。
一位半导体业内人士表示，“HBM 是一种通过增加带宽以实现 AI 推理领域的快速处理而诞生的 DRAM 存储器，SK Hynix 似乎正试图将类似的方法应用于闪存。SanDisk 最近发布了一种名为 HBF 的东西，它表示将取代 HBM，但这最终也意味着要用宽 I/O 来实现。我认为 LPW NAND 是一种类似的产品”。
在移动存储领域，迄今为止，NAND闪存与嵌入式多媒体控制器（eMMC）一直是主流，但最近，向大容量通用闪存（UFS）的转变正在迅速推进。三星电子最新旗舰手机Galaxy S25搭载了UFS 4.0内置内存。
UFS 4.0 基于 512GB 三级单元 (TLC) 第 8 代 V-NAND (V8)。 NAND闪存根据一个单元（即一个数据存储单位）中存储多少位（bit）的不同，分为单层单元（SLC）、多层单元（MLC）、TLC、四层单元（QLC）。存储更多数据的结构更容易实现大容量产品，但缺点是复杂性增加，性能下降。
由于LPW NAND闪存更注重性能，因此更有可能被SLC采用。一位半导体业内人士解释道，“如果（LPW NAND）是针对AI的产品，它可能会采用SLC而不是TLC或QLC，性能更重要”。
三星电子正致力于LPW DRAM的开发。这是一种堆叠并连接多个LPDDR（专用于移动设备的低功耗DRAM）的产品，类似于通过堆叠多个DRAM制成的HBM，对于移动用途也称之为 HBM。
三星电子设备解决方案部总裁兼首席技术官宋在赫上个月在美国举行的国际固态电路学会（ISSCC）2025的主题演讲中表示，“与最新的移动DRAM LPDDR5X相比，LPW DRAM的目标是将输入/输出速度提高166%，第一款使用LPW DRAM的移动产品计划于2028年发布”。
SK海力士的一位人士解释道：“申请商标是公司通常在开发初期进行的活动，LPW NAND的商标申请也是按照这种思路进行的。”他补充道：“LPW NAND闪存是一种通过增加输入/输出通道数量并降低每个通道的速度来降低功耗的产品，我们开始专注于设备上的AI进行开发。”
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