【光电集成】半导体封装中的键合技术是什么？

今日光电 2025-03-15 18:01 197浏览 0评论 0点赞

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键合（Bonding）是通过物理或化学的方法将两片表面光滑且洁净的晶圆贴合在一起，以辅助半导体制造工艺或者形成具有特定功能的异质复合晶圆。键合技术有很多种，通常根据晶圆的目标种类可划分为晶圆-晶圆键合（Wafer-to-Wafer，W2W）和芯片-晶圆键合（Die-to-Wafer，D2W）；根据键合完成后是否需要解键合，又可分为临时键合（Temporary Bonding）和永久键合（Permanant Bonding）；根据待键合晶圆间是否引入辅助界面夹层，还可分为直接键合、间接键合、混合键合（Hybrid Bonding）等；根据传统和先进与否，传统方法包括引线键合（Wire Bonding），先进方法采用倒装芯片键合（Flip Chip Bonding）、混合键合等。

封装形式演变下，键合技术追求更小的互联距离以实现更快的传输速度。封装技术经历了从最初通过引线框架到倒装（FC）、热压粘合（TCP）、扇出封装（Fan-out）、混合封装（Hybrid Bonding）的演变，以集成更多的I/O、更薄的厚度，以承载更多复杂的芯片功能和适应更轻薄的移动设备。在最新的混合键合技术下，键合的精度从5-10/mm2提升到10k+/mm2，精度从20-10um提升至0.5-0.1um，与此同时，能量/Bit则进一步缩小至0.05pJ/Bit。

为了使芯片尺寸更小，封装尺寸和凸点间距都需要相应地缩小；10μm的凸点间距提供的I/O数量大约是200μm凸点间距的400倍。随着电子器件朝着更轻薄、更微型和更高性能的方向发展，凸点间距已经推进到20μm，并且一些行业巨头已经实现了小于10μm的凸点间距；10μm凸点间距所提供的I/O数量大约是200μm凸点间距的400倍。

50-40μm凸点间距可通过倒装键合实现，40-10μm凸点间距需用热压键合（TCB），而10μm以下凸点间距则需采用混合键合技术。（1）倒装键合的回流焊适用于40-50μm凸点间距，但随着凸点间距缩小会导致翘曲和精度问题，使回流焊不再适用。（2）热压键合40-10μm凸点间距中能够胜任，但当凸点间距达10μm时，TCB可能产生金属间化合物，影响导电性。（3）10μm凸点间距以下的高集成度封装将全面转向混合键合技术。

倒装键合是通过在芯片顶部形成的凸点来实现芯片与基板间的电气和机械连接。与传统引线键合一样，倒片封装技术是一种实现芯片与基板电气连接的互连技术。相较于引线键合，倒装键合①拥有更多的连接密度，引线键合只能围绕芯片四周进行引线连接，对于可进行电气连接的输入/输出（I/O）引脚的数量和位置有限制，而倒装键合可以在整个芯片正面植球，可以显著提高连接密度； ②信号传输路径更短：倒装键合直接利用凸块(Bump)进行电信号传输,传输路径远短于引线键合，可以带来更快的计算传输能力。因此在先进封装领域，倒装键合技术凭借其优越的电气性能和空间利用率成为主流键合技术，被广泛应用于CPU、GPU和高速DRAM芯片的封装。