AMEYA360代理丨纳芯微新一代CSPMOSNPM12017A守卫锂电充电安全

纳芯微正式发布全新一代CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET——NPM12017A系列，该系列产品是对纳芯微已量产的CSP MOS的完美升级与补充。新一代CSP MOS进一步优化了性能表现，显著提升了电气与极限能力。以首发产品NPM12017A为例，典型阻值相比上一代降低了26%，温升降低近30%，极限耐受能力如短路及雪崩能力等提升近50%，达到国际领先水准。同时，凭借12寸特色专利工艺，NPM12017A在极具性价比的同时，还能提供充足的产能保障。

该系列延续了上一代NPM12023A的产品极限能力和优异的封装机械强度，解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题。为手机、平板以及智能穿戴等便携式锂电管理应用提供更安全、可靠的解决方案，助力客户简化设计。

纳芯微CSP封装MOSFET产品优势

随着智能手机、平板电脑等便携式设备的快充功率从3-5W跃升至100W以上，厂商和客户对锂电池快速充电功率/电流的需求持续提升，相应要求采用超低阻值的MOSFET产品以降低锂电池充放电路径的功耗，进而提升电池系统性能。

全新一代CSP封装NPM12017A基于上一代自有知识产权的创新芯片结构上，进一步优化设计，实现相同封装下内阻降低26%，温升下降近30%，在降低功耗的同时有效降低了系统温升和发热量，性能领先业内水平。同时，其短路能力提升40%(短路电流达400A)，雪崩能力提升67%(达50A)，兼顾超低阻抗与优异极限电气特性，为锂电设备提供更全面可靠的保护。

NPM12017A核心参数特点

此外，NPM12017A克服传统CSP封装在机械强度与雪崩能量方面的不足，耐受超60N机械压力，有效防止芯片在生产组装中的翘曲与裂片等问题，显著提升产品可靠性与安全性。

便携式锂电设备向小型化、轻薄化发展，对系统尤其是MOSFET的体积提出更高要求。在传统晶圆级CSP封装双N沟道MOS产品中，硅基材的电阻在电池管理应用中的总电阻占比较大。为降低衬底电阻，一般会采用芯片减薄工艺，但这会显著削弱产品的机械强度，造成芯片在生产组装过程中翘曲、变形，甚至产生裂纹，从而导致应用端不良等问题。针对机械强度不足的问题，部分解决方案会采用其他材料加厚的方式来增加机械强度，但这会带来成本的增加以及不同材质的兼容性风险。

纳芯微全新CSP封装系列在设计之初即针对这一问题进行了优化。通过调整产品结构，使导通电流平行于芯片表面，缩短电流路径，从而降低导通电阻，从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题，在兼顾轻薄化、小型化的基础上，最大程度减少芯片使用过程中的变形、裂片等问题，确保产品的可靠性与安全性。

纳芯微CSP封装结构与传统CSP封装结构对比

纳芯微全新CSP封装MOSFET不仅在性能上实现突破，还在设计上进行了优化。其共漏极双N沟道结构简化了电路设计，可直接Pin to Pin替代上一代产品NPM12023A，即可实现性能升级，有效缩短开发周期，助力客户更快地将高性能产品推向市场。

NPM12017A选型表