三星电子正在努力在下一代移动 DRAM——低功耗宽 I/O (LPW) DRAM 市场中占据领先地位。为此，三星已经确认正在与包括苹果在内的多家客户合作开发LPW DRAM。
LPW DRAM 也称为移动高带宽存储器（HBM）。该产品通过堆叠低功耗（LP）DDR 显著提高了性能。三星电子预计将于2028年左右开始正式量产。
据业内人士3月11日透露，三星电子目前正与多个系统级芯片（SoC）客户合作开发LPW DRAM，已确认其中包括苹果和三星电子的移动体验（MX）业务部门。
据悉，该公司还领导着联合电子设备工程委员会（JEDEC）对LPW DRAM的标准化工作，其发展速度快于竞争对手。这可能会让该公司采用对其有利的规范。
LPW DRAM是三星电子、SK海力士等公司针对移动应用开发的产品线。其特点是堆叠了多个LPDDR DRAM，业内也称之为移动HBM。
根据三星电子近期发布的数据表，LPW DRAM的输入输出速度为每秒204.8GB，功耗仅为1.87皮焦耳（pJ）。与LPDDR5X相比，这是一个显著的改进。
由于设备上AI的扩展，内存公司正在转向LPW DRAM的开发。由于预计继服务器领域之后，移动领域也将出现内存瓶颈，因此计划积极推出高性能DRAM。
因此，输入/输出 (I/O) 显著增加到 512。这一数字较之前的数字增长了八倍。两家公司计划将 LPDDR DRAM 以阶梯状堆叠，然后将 LPDDR DRAM 连接到基板。这可以显著增加 I/O。三星电子将这项技术称为垂直引线键合（VWB）封装技术。
SK Hynix 将 LPW DRAM 称为“垂直扇出 (VFO)”。研究发现，两家公司的工艺方法在 LPDDR DRAM 堆叠方面相似。但在封装过程中铜柱的形成存在差异。 SK海力士将铜柱连接起来，然后用环氧树脂填充，而三星电子则先用环氧树脂填充，然后形成铜柱。
业界预测LPW DRAM也将像HBM一样具有强烈的定制化趋势。这是因为它预计将以系统级封装（SiP）的形式与移动应用处理器（AP）一起提供。这也是包括苹果在内的多家客户积极与三星电子合作开发LPW DRAM的原因。
一位内存业内人士表示，“随着设备上AI的出现，大型移动客户对LPW DRAM等高性能移动DRAM的需求不断增加”，并补充道，“最初可能会供应符合JEDEC标准的产品，但未来将开发具有更多I/O或容量的LPW DRAM。”
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