MOSFET驱动电路中的栅极电阻靠近驱动器放置还是靠近MOSFET放置？还是无所谓呢？

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Ig ≈ (VDRV - Vgs(th)) / RGATE

VDRV：驱动电压

Vgs(th)：MOSFET的门槛电压

RGATE：我们的主角，电阻值决定了电流量

开关时间呢，跟栅极电荷Qg有关：

t ≈ Qg / Ig

举个例子：Qg=50nC，要想t=100ns，算下来Ig得0.5A，RGATE就得18Ω。简单吧？但问题来了：这RGATE是放驱动器旁边当“门卫”，还是贴着MOSFET做“保镖”？位置不同，效果可是天差地别。

栅极驱动器的输出阻抗通常非常低，几欧姆级别，而MOSFET的输入阻抗由栅极电容Ciss决定，在高频下表现为低阻抗Z =1/(jωCiss）。栅极电阻RGATE作为串联元件，其位置会显著影响电路，

若RGATE靠近驱动器放置：

RGATE位于驱动器端，之后有一段走线连接至MOSFET栅极。这段走线的寄生电感L_gate与MOSFET的栅极电容Ciss串联，形成一个LC回路。由于驱动器输出阻抗低，这段走线的高阻抗特性Z=jωL_gate容易导致振铃，尤其在高频开关时。

若RGATE靠近MOSFET放置：

RGATE紧邻MOSFET栅极，驱动器通过走线直接连接到RGATE。此时，走线由驱动器的低阻抗输出驱动，寄生电感的影响被最小化。RGATE与Ciss紧密相连，形成阻尼效应，有效抑制振荡。

走线寄生电感L_gate与栅极电容Ciss形成的LC回路的谐振频率为：

f_res = 1 / (2π√(L_gate × Ciss))

例如，若走线长度为5cm，寄生电感L_gate ≈ 5nH，Ciss = 1nF，则谐振频率约为71MHz。若开关频率接近此值，振铃现象会显著增加。

当RGATE靠近MOSFET时，走线长度趋近于0，L_gate大幅减小，LC回路被破坏，振荡风险显著降低。

RGATE的放置位置还会影响电路对外部噪声的敏感性：

靠近驱动器放置，RGATE后的走线阻抗较高，由L_gate和Ciss决定，容易拾取外部电磁干扰，影响栅极电压的稳定性，导致开关误动作。靠近MOSFET放置，驱动器到RGATE的走线由低阻抗驱动，抗干扰能力强。而RGATE到MOSFET的连接极短，高阻抗走线段被最小化，减少了噪声耦合的可能性。