全天直播即将开启丨英飞凌宽禁带开发者论坛四大亮点抢先看

英飞凌工业半导体 2025-03-06 08:30

宽禁带(WBG)解决方案将能效提升到了新高度。凭借其更高的功率密度和更小的封装尺寸,它们是实现可持续设计的关键。英飞凌的WBG产品组合表现如何?能为开发者带来哪些益处?


英飞凌全球宽禁带开发者论坛,2025年3月11日北京时间下午4点,全天直播即将开启!


01

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士和电源与传感器系统事业部总裁Adam White发表主题演讲,深入分享市场发展趋势和英飞凌的宽禁带(WBG)战略。

02

包含英飞凌全系列的宽禁带(WBG)功率半导体产品,包括分立器件、模块以及高集成度解决方案,其中GaN产品涵盖40V至700V,SiC产品涵盖400V至3.3kV,释放SiC和GaN的全部潜力,提供极致的设计灵活性。

03

涵盖碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的全面技术分享,深入探讨是什么让CoolSiC™和CoolGaN™成为太阳能、储能、逆变器设计以及车载电动汽车充电等应用的理想解决方案。您将看到许多不同的应用如何利用SiC和GaN的优势。


 Top-Side Cooling (TSC) solutions for industrial and renewable applications with SiC MOSFET 

Qurat Akbar

Staff Product Application Engineer for Discrete SiC MOSFETs & diodes

 SiC 2.3 kV power modules asenabler towards a clean energy transition –

examples for wind and energy storagesystems

Dr. Marcel Morisse

Principal Engineer High Power Modules

 Keep on driving with WBG innovation for traction inverters

Mark Münzer

Fellow Motor Control Solutions

04

特邀客户分享项目经验以及应用体验:


 SiC in Siemens ET200SP e-Starter3RD1

Thomas List

Siemens AG

Product owner

 Advanced multi-variant fusion concept for enhanced traction inverter intelligence, cost effectiveness and practicality

Allen Liu

Suzhou Inovance Automotive Co.,ltd.

Director, Chief Engineer

Hardware Pre-research and Platform R&D Center




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(您可以在直播中听到全球前沿的产品与应用实例分享。)

注:请在2025年3月10日之前扫码报名。


报名后,您将收到一封确认电子邮件,内含当天直播观看链接。



议程一览(北京时间):

16:00 – 16:05

Welcome and introduction

Dr. Peter Friedrichs, Fellow
Eva Gabriel, Director Product Marketing SiC

16:05 – 16:30

Opening Keynote – Expanding ourleadership in power systems through Wide Bandgap

Dr. Peter Wawer

Division President Green Industrial Power

Adam White

Division President Power & Sensor Systems

16:30– 17:00

SiC in Siemens ET200SP e-Starter3RD1

Thomas List

Siemens AG

Product owner

17:00 – 17:30

Advanced multi-variant fusion concept for enhanced traction inverter intelligence, cost effectiveness and practicality

Allen Liu

Suzhou Inovance Automotive Co.,ltd.

Director, Chief Engineer

Hardware Pre-research and Platform R&D Center

17:30 – 18:00

Top-Side Cooling (TSC) solutions for industrial and renewable applications with SiC MOSFET 

Qurat Akbar

Staff Product Application Engineer for Discrete SiC MOSFETs & diodes

18:00 – 18:30

SiC 2.3 kV power modules asenabler towards a clean energy transition –

examples for wind and energy storagesystems

Dr. Marcel Morisse

Principal Engineer High Power Modules

18:30 – 19:00

SiC .XT interconnect: enabling SiC for long lifetime in high power applications

Dr. Torsten Methfessel

Principal Engineer Quality & Reliability

19:00 – 19:30

Challenges and solutions to power latest AI processor generations for hyperscale data centers

Dr. Matthias Kasper

Lead Principal Engineer at System Innovations Lab

19:30  – 20:00

Dinner break (Beijing time)

20:00 – 20:30

Why GaN in Photovoltatics?

Richard Brace

BRC Solar, Head of Innovation and Research

20:30 – 21:00

Driving the future of Motor Control with 650V GaN

Ariza Javier

Principal System Application Engineer power conversion

21:00 – 21:30

Highly integrated coin-sized 1 kW GaN-basedmotor drive

Dr. Edward A. Jones

Principal Engineer in GaNApplication Development

Dr. Maurizio Incurvati

LeadPrincipal Engineer System Architect for Innovation in Motor Drives

21:30 – 22:00

GaN Monolithic Bi-directional Switch - A New Paradigm in Power Electronics

Dr. Kennith K. Leong

Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer for CoolGaN™ HV BDS

22:00 – 22:15

15 Min. Coffee break

22:15 – 22:45

Value Proposition of GaN in OBC

Lucas Lu

Senior Director Technical Marketing GaN Auto

22:45 – 23:15

Keep on driving with WBG innovation for traction inverters

Mark Münzer

Fellow Motor Control Solutions

23:15 – 23:45

Automotive & Industrial MCUs for Software-controlled high Density Power Conversion’

Dr. Jürgen Stahl

Principal System Engineering

Klaus Scheibert

Senior Principal PT&xEV

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    华盛恒辉l58ll334744 2025-04-17 15:51 131浏览
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