爱发科:SiC行业变局中的“共谋者”,技术纵深助力市场破局

原创 第三代半导体风向 2025-03-05 18:10

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回顾2024年,碳化硅和氮化镓行业在多个领域取得了显著进步,并经历了重要的变化。展望2025年,行业也将面临新的机遇和挑战。为了更好地解读产业格局,探索未来的前进方向,行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2025》专题报道。

本期嘉宾是ULVAC中国集团市场总监王禹。接下来,我们将继续邀请更多领军企业参与《行家瞭望2025》,敬请期待。

SiC行业波动中的发展主线:

技术创新与市场渗透

家说三代半:据行家说Research预估,2024年SiC功率半导体市场同比增长14%左右,增速较去年有所下降,您如何看待SiC需求出现较大波动的背后原因?

王禹:这个问题确实反映了当前市场的复杂性。从我们的观察来看,增速放缓背后有几个关键因素在交织作用,既有短期波动,也有产业转型期的必然调整。

首先,下游需求的结构性分化是主因之一。虽然新能源汽车、光伏、储能这些核心赛道对SiC的需求仍在增长,但增速确实在收窄。比如2023年全球电动车销量增速从“爆发式”转向“稳健型”,部分车企甚至开始调整技术路线,例如在800V高压平台之外,混用硅基IGBT和SiC模块来平衡成本。这种“技术路线摇摆”直接影响了SiC的短期采购节奏。

其次,产业链正在经历库存周期调整。2022年供应链危机期间,下游厂商普遍超额备货,导致2023年出现库存积压。今年许多客户进入“去库存”阶段,新增订单的观望情绪加重。尤其是一些中小型客户,甚至推迟了原本计划的SiC项目导入。

第三,成本压力倒逼技术路线优化。目前SiC器件的价格仍是硅基的3-5倍,虽然长期看成本会下降,但短期内车企和能源企业面临激烈的市场竞争,更倾向于“挤牙膏式”的技术迭代。比如部分车企将SiC模块的应用范围从主驱扩展到OBC(车载充电机),而非全盘替换,这也稀释了单车的SiC用量增速。

最后,供应链成熟度的影响不容忽视。虽然全球SiC衬底产能在大幅扩张,但良率爬升和客户认证周期比预期更长。

不过,这种增速回调更像是“中场休息”而非“终场哨声”。随着特斯拉、比亚迪等头部车企对SiC的坚定投入,以及光伏逆变器对高压器件的刚性需求,2025年后市场有望进入新一轮爆发期。目前的关键是产业链上下游协同攻坚,把衬底成本降下来,同时加快在充电桩、工业电源等新兴场景的渗透——这才是SiC真正站稳“下一代功率半导体C位”的核心战役。

家说三代半:尽管2024年SiC行业进入了阶段性调整期,但也不乏发展亮点。您认为行业今年取得了哪些新的进步?未来SiC行业的发展方向是什么?

王禹:我认为尽管2024年SiC行业面临阶段性调整,但技术创新与市场渗透的深化仍是主旋律。

1.技术突破推动降本增效。8英寸衬底逐步量产:头部企业突破晶体生长技术瓶颈,8英寸衬底良率提升至可商用水平,为下游器件规模化应用奠定基础。

2.应用场景结构性拓展。在新能源汽车领域,800V 高压平台的推广以及超充桩的普及,为 SiC 器件带来巨大市场机遇。在光伏逆变器和储能系统领域,对高效能器件的需求增长,也推动了 SiC 的市场扩展。此外,在飞机、船舶、医疗设备、电焊机、三轮车等传统领域之外的新兴领域也开始有了 SiC 的应用。

未来 SiC 行业持续降本增效依然是核心任务。SiC 产业链将通过技术创新、工艺优化以及规模化生产,进一步降低 SiC 器件的制造成本,提升性价比,以便在更多领域替代传统硅基器件。

ULVAC战略深化:

技术纵深与市场扩张双轨并行

家说三代半:现在SiC行业价格战打得火热,贵公司如何同时兼顾成本控制、高品质、稳定供应?

王禹:作为深耕半导体设备领域超70年的企业,ULVAC始终将“技术纵深”与“客户共生”作为应对行业变局的核心策略。ULVAC不是单纯的“设备供应商”,而是客户技术升级的“共谋者”。在SiC行业价格战白热化的背景下,我们着重投入新技术和新工艺开发,为客户提供更优质的解决方案,以此来降低成本,也增加我们产品的竞争力。

家说三代半:贵公司2025年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标?

王禹:ULVAC业务包括了设备及规格品的生产制造、研发、销售、售后服务,以及改造业务,为客户提供专业且完善的真空解决方案及服务。

2025 年,我们将在多个关键领域重点发力:

在三代半领域,随着半导体行业对芯片性能和精度要求不断提升,ULVAC经不懈努力,成功开发出8英寸SiC离子注入机,这一成果为相关芯片制造企业提供了关键设备,助力大尺寸晶圆量产。通过精确控制离子注入的深度、剂量和分布,为三代半半导体器件的制造提供更稳定、更精准的掺杂工艺。这不仅有助于提高器件的性能一致性,还能增强其电学特性,助力制造出性能更卓越的功率器件、射频器件。

在氮化镓领域,ULVAC外延N+GaN溅射设备,可在GaN膜层上实现高速再生长,外延层掺杂浓度可达到1E20(/cm³),且较大程度降低接触电阻,满足高性能器件需求。刻蚀设备的低损伤刻蚀技术助力蚀刻精度显著提升,满足三代半器件制造中对微小通孔等精细结构的加工需求。

光通信方面,随着数据流量的爆发式增长,对高速率、大容量光通信需求激增。ULVAC优化刻蚀技术,减少光传输损耗,满足光通信器件制造的高精度、高效率、低成本需求.

新能源领域一直是我们关注的重点,对于太阳能电池,我们将利用卷绕镀膜设备,提高电池转换效率。

MEMS 市场正朝着小型化、高集成度发展,我们推出真空镀膜和蚀刻设备,满足高精度制造需求,积极参与行业标准制定,推动 MEMS 在多领域的应用。

新型材料是推动各行业创新的关键,我们会持续关注金刚石、氧化镓等材料研发进程,强化研发,加速新型材料的产业化进程。

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