回顾2024年，碳化硅和氮化镓行业在多个领域取得了显著进步，并经历了重要的变化。展望2025年，行业也将面临新的机遇和挑战。为了更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2025》专题报道。
本期嘉宾是晶瑞电子总经理盛永江。接下来，我们将继续邀请更多领军企业参与《行家瞭望2025》，敬请期待。
SiC行业进入调整期
精细化竞争成关键
行家说三代半：据行家说Research预估，2024年SiC功率半导体市场同比增长14%左右，增速较去年有所下降，您如何看待SiC需求出现较大波动的背后原因？
盛永江：市场周期调整：2023年新能源汽车、储能光伏等下游市场增速阶段性放缓，直接影响SiC器件需求增长（特斯拉头部新能源车企碳化硅器件使用量减少，新能源车企整体碳化硅器件整体推广力度放缓）；同时行业前期扩产导致短期产能过剩，库存消化压力增大；
成本博弈：车规碳化硅SiCMOSFET器件价格仍显著高于硅基IGBT产品，车企在价格战压力下可能暂缓高压平台车型推出，转向“硅基方案过渡”策略；新能源电池包成本的快速下降，导致碳化硅系统方案优势不明显，碳化硅基、硅基汇合方案同步使用。
技术替代风险：硅基IGBT技术优化（如沟槽栅、逆导技术）部分侵蚀了SiC在中低压领域的渗透空间。
行家说三代半：如果用3个关键词总结2024年SiC行业的发展状况，您会用哪几个词？
盛永江：我认为是以下三个：
调整期：需求增速换挡，行业从“狂热扩产”转向“精细化竞争”。
技术突围：8英寸衬底良率爬坡、沟槽型MOSFET量产、国产设备物料替代加速。
国产替代：国产衬底进一步大规模替代海外衬底，进入龙头企业的主流供应体系。
行家说三代半：尽管2024年SiC行业进入了阶段性调整期，但也不乏发展亮点。您认为行业在2024年取得了哪些新的进步？未来SiC行业的发展方向是什么？
盛永江：2024年碳化硅行业存在以下发展亮点：
8英寸衬底突破：国内头部厂商实现批量出货，成本大幅下降。
车规级模块上量：多家企业通过车企认证，800V平台车型搭载率提升。
目前来看，碳化硅行业的发展趋势主要为：
应用多元化：从新能源车主驱动到全车碳化硅方案再向充电桩、数据中心电源、工控领域、白色家电渗透。
技术迭代：超结SiC器件、混合封装（SiC+GaN）技术或成新焦点。
全球化2.0：区域供应链建设（如东南亚设厂）规避贸易壁垒。
应对地缘政治挑战
推进SiC国产化与全球化发展
行家说三代半：SiC行业竞争越发激烈，如何看待竞争格局变化？面临主要挑战和机会有哪些？
盛永江：我认为，碳化硅行业的格局变化有以下两点：
一是国内衬底企业在国内替代进口产品且加速了出海；预计2024年国产衬底已牢牢占据半壁江山；二是国外芯片厂加速和国内厂商的合作，开始China for China模式。
此外，碳化硅行业主要面临车规认证周期长、产能过剩和价格战压力三大挑战。与此同时，也会有三大机遇：
政策红利：中国“新基建”政策加码超充网络，拉动超高压SiC需求。
替代窗口：2025年后欧美车企全面转向800V平台，国内厂商有望凭借性价比抢占份额。
8英寸晶圆窗口：龙头芯片厂已开始逐步切换8寸晶圆，以追求更低的成本和更大的降本空间，这为具有8寸衬底有产能和技术优势的企业提供了窗口期。
行家说三代半：最近，美国对中国SiC衬底发起了301调查，该事件会对国内衬底、外延、器件、模块造成怎样的影响？国内SiC厂商应如何应对地缘政治的影响？
盛永江：我认为，仅仅是开启了调查，且碳化硅产业链的中下游企业比较分散，短期内影响有限。美国衬底企业的竞争力在逐渐下降，不仅仅是地缘政治的因素，最终还是要落实到产品规格和性价比。终端用户国内占据70%，美国不会轻易放弃中国市场。
国内SiC厂商可以通过以下措施来应对地缘政治的影响：
一是格外关注产品的性价比以及质量控制，把国产衬底做到绝对的优势地位；
二是通过海外建厂来规避政策的不确定性。
行家说三代半：如何看待8英寸SiC的发展？贵公司在这方面有怎样布局？
盛永江：目前，国内外芯片龙头企业在开始向8英寸切换，随着流片良率的提升，8寸的进一步降本空间广阔。
SuperSiC浙江晶瑞的产线是6&8英寸兼容的；可以根据市场行情快速切换；加工线已引入自动化，对于控制品质一致性，工艺进一步优化提升；以及产品的追溯性提供了平台支持。
晶瑞电子—6-8英寸碳化硅晶体及晶圆片
行家说三代半：贵公司2025年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
盛永江：我们将进一步推进在车规级产品的验证，抓住细分工业应用市场机会，拓展海外市场。
此外，2024年SiC行业在调整期中孕育结构性机会，技术自主化与全球化布局将成为企业分化的关键。国内厂商需在技术迭代、成本控制、地缘风险规避三方面构建核心竞争力。
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