(1)
上一篇文章的文末，不是提到，deepseek说我有理解错误么？当时看着deepseek的说法，觉得不能被说服。现在想明白了，确实是我错了。虽然看deepseek的说法，第二点上还是有一点小疑问，但是整体上，我是同意的。
空穴，虽然在很多时候，被称之为带着正电荷的载流子。不过，其实，这只是一种等效，是一种对电子在共价键中留下的空位的等效。说到Ali教授的书，经过号友提醒，才看到视频下面的链接。虽然很久以前也看到过，但是时隔久远，已然不记得有这么一本书了。看着书中的内容，再配合上教授的讲解，有些细节之处互相补充，猛然觉得更明了了。有需要的同学，可以通过：https://chic.caltech.edu/wp-content/uploads/2023/01/Hajimiri_Analog_DRAFT012023.pdf所以，看到空穴，我一直提醒自己，它不是空穴，它只是一个位置，电子一有机会，就会过来坐上的。就如deepseek和号友留言所说，负离子不是因为有VG而产生的，而是在掺杂过程中就产生的。也就是说，B原子旁边的空穴，在掺杂的过程中，周围共价键中的电子，就会过来，在B原子周围，形成新的共价键。不过，就如最上面提到的, 仍然有一处存在小疑惑。那就是deepseek在第2点提到说，掺杂B原子，在初始的时候，是带+1价。这个我就有点想不通了，按照空穴其实是个空位的理解的话，B刚替代Si的时候，B原来最外围有3个电子，Si原来最外围有4个电子，正好是初始的模样么，不应该是中性么？然后来了一个电子以后，因为这个电子，才变成了-1e的电荷量。不过，我翻来覆去地问deepseek，他给我的结论还是这个，所以难道还是我理解的不对？
号友有说，他当时看模电这些的时候，都能对着空气，把书本的内容复述出来。昨天躺在床上之后，想到这点，就想着也试一下，就在脑子里试着复现看过的内容。射频系统(37本)，芯片书籍(12本)，运放设计视频等资料，扫码自取
完结接收机课程吆喝处哈(已在平台上购买的同学，加我微信，领课件资料哈！)
想报名的同学，可以海报底部扫码哈！
☜左右滑动查看更多
Slide for more photos
