美光宣布，基于最新1γ纳米工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经投产，性能、能效、密度等各项指标都大幅提升。
DRAM内存行业的节点工艺一直不标注具体数值，而是1a、1b、1c、1α、1β、1γ这样的迭代顺序，越来越先进，其中1a比较接近20nm，1γ则接近10nm。
这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的BEOL后端工序。
不过美光没有透露使用了多少EUV光刻层，猜测目前只是在关键层上用EUV，否则就得多重曝光，增加时间和成本。
美光的1γ DDR5单颗容量为16Gb(2GB)，可以轻松组成单条容量128GB的企业级产品，号称容量密度比1β的再次增加30％，事实上之前每代提升工艺都能增加30％的密度。
它只需要1.1V的标准电压，就能达到9200MHz(严格来说是9200MT/s)的超高频率，而目前市面上常见的高频内存往往得1.35V甚至1.45V的高电压。
更低的电压不但更安全，还能节省功耗，号称比1β工艺的最多降低20％。
目前，美光1γ DDR5内存只在日本工厂生产，后续会逐步扩大产能，相关产品预计今年年中左右上市。
未来，美光在中国台湾的工厂也会引入EVU，并使用1γ工艺制造GDDR7显存、LPDDR 5X高频内存(最高9600MHz)。
芝奇近日宣布推出基于JEDEC最新DDR5 R-DIMM修订标准的增强型DDR5 R-DIMM内存。
该产品采用16层PCB设计，并新增瞬态电压抑制（TVS）二极管及保险丝，在信号完整性、过电流保护和静电放电防护等方面实现显著提升，为高性能计算和数据中心应用提供更可靠的内存解决方案。
相较于传统DDR5 R-DIMM内存的8层或10层PCB设计，芝奇增强型DDR5 R-DIMM内存采用16层PCB设计，这是一次重大升级。
高密度多层结构有效强化了信号完整性，降低了信号干扰，即使在高性能或超频工作负载下，也能确保数据传输的可靠性和稳定性，满足严苛应用场景的需求。
为了进一步提升内存模组的可靠性和安全性，芝奇增强型DDR5 R-DIMM内存新增了瞬态电压抑制（TVS）二极管及保险丝。
TVS二极管可以有效抑制瞬态电压，防止静电放电（ESD）对内存模组造成损害；而保险丝则可以在发生过电流时及时切断电路，保护内存模组免受损坏。
芝奇增强型DDR5 R-DIMM内存直接从主板获取12V输入电压，并结合新的保护措施，可以更好地抵御峰值功率的影响，维持稳定的电压水平，为系统带来更出色的稳定性和可靠性，确保长时间稳定运行。
据悉，芝奇增强型DDR5 R-DIMM内存产品目前已在准备当中，预计将于2025年年中通过芝奇全球分销合作伙伴上市销售。
同时，全球最快的消费级SSD，它来了！
近日，三星正式发布首款满血PCIe 5.0 SSD——9100 Pro，读取速度高达14.8GB/s，再一次刷新民用SSD的速度纪录。
据悉，9100 Pro支持完整PCIe 5.0 x4接口，包含四个通道，并采用NVMe 2.0协议。此前，三星的990 EVO和 990 EVO Plus虽然可以在 PCIe 4.0 x4模式或PCIe 5.0 x2模式下运行，但最大带宽速度仅为满血PCIe 5.0 x4 SSD的一半。
容量方面，提供1TB（1GB缓存）、2TB（2GB缓存）、4TB（4GB缓存）、8TB（8GB缓存）四个版本。
1TB、2TB版本的额定顺序读取速度达14,700 MB/s ，顺序写入速度为13,300 MB/s。
2TB版本读取速度不变，写入速度升级100MB/s到13,400 MB/s。4TB和8TB版本最快，顺序读取速度高达14,800 MB/s，写入速度高达13,400 MB/s。
售价方面，1TB 199.99 美元，2TB 299.99 美元，4TB型号549.99 美元。从每TB的价格来看，4TB版本性价比最高，为137.50美元/TB。
带散热器的版本，每个型号贵20美元。
8TB型号将于2025年下半年上市。
三星表示，得益于5nm工艺，9100 Pro的功耗也比以前更低。带散热器的版本能耗更低，更凉爽、更持久。与前代产品相比，9100 Pro的能效提高了49%。
