存储器大厂美光（Micron）推出首度采用极紫外光（EUV）微影技术的1γ（1-gamma；第六代10奈米级节点） 制程新款DDR5DRAM，目前已开始向NB与服务器制造业者提供样品供验证，强调将比 1β（1-beta）效能更高、功耗更低且位元密度更高的三大特点，将支援资料、手机、AI PC、智慧车和游戏等五大应用。
美光表示，随着资料中心和边缘装置纷纷导入 AI，存储器的需求已飙升至史上新高。美光向 1γ DRAM 节点的迈进，有助于客户克服亟需解决的关键挑战。上述新制程将在日本广岛与中国台湾导入量产。
美光指出，1γ DRAM 节点有助增强效能，可支援从资料中心到边缘装置等各种存储器产品的运算扩充，从而满足未来 AI 工作负载的要求。也能节省能源，因采用下一代高介电质金属闸极 CMOS 技术，并搭配设计最佳化后，可节省功耗超过20%，具更好散热特性。与前一代制程相比，每片晶圆的位元产出量多出 30% 以上3，能有效扩大存储器供应。
美光表示，1γ节点将被全面整合至美光的存储器产品阵容内，包括1γ DDR5 存储器解决方案可使资料中心的效能提升达15%，提升能源效率并有助于持续扩充服务器效能，使资料中心在未来的机架级电源和散热设计中进行最佳化。
此外，边缘 AI 采用美光1γ低功耗 DRAM 解决方案，预计可提供更佳的省电效能与更高的频宽，进而强化 Edge AI 解决方案的使用者体验。在AI PC 方面，美光预估1γ DDR5 SODIMMs 可提高效能并降低20%能耗，进而延长电池续航力及改善笔电的使用者体验。
行动装置方面，1γ LPDDR5X可提供卓越的 AI体验，延续美光在行动装置产业的领导地位。汽车方面，1γ LPDDR5X 存储器有效扩大了容量、使用寿命与效能表现，资料传输速度可达9600MT/秒。
AMD服务器平台解决方案工程部门企业副总裁Amit Goel表示，看到美光在 1γ DRAM 节点方面的进展，并已开始对美光 1γ DDR5 存储器进行验证。AMD将致力继续以适用于资料中心的下一代 AMD EPYC 产品及产品组合内的消费级处理器来推动运算生态系统发展，与美光保持密切合作。
Intel 存储器与 IO 技术副总裁暨总经理Dimitrios Ziakas指出，美光 1γ DRAM 节点的进展为他们服务器和AI PC带来稳固的功耗和能量密度改善，看到美光在 DRAM 技术上的持续创新，同时也期待其技术为服务器系统带来效能与PC 电池寿命提升。 Intel 正为美光 1γ DDR5 存储器样本进行严格的服务器验证流程，期待为客户提供具最高质量服务器系统。
存储芯片交流群
