近期，国内新增3个GaN项目动态，覆盖“衬底-外延-芯片-模组”四大环节：
镓奥科技：
GaN项目落地浙江
2月25日，据“德清组工”官微透露，“中大功率氮化镓芯片及其模组”总部项目已落户浙江市德清县，其主体为湖州镓奥科技有限公司。
文章进一步透露，镓奥科技成立于2024年11月，是一家专注于氮化镓功率器件及其模组研发、生产和销售的创新型企业，团队核心技术为“国产替代”氮化镓中大功率芯片和“国产设计”中大功率模组，并拥有自主知识产权，技术处于行业领先地位，主要应用领域为人工智能和新能源两大赛道。
目前，镓奥科技在中大功率氮化镓（GaN）领域有以下技术路线：
首先，镓奥科技致力于推动中大功率氮化镓芯片的国产化替代，并采用创新的负压直驱架构。该架构在可靠性上优于现有的E-mode架构（增强型），同时在高频特性上超越了Cascode架构（级联型），从而确保其能够制造出全球领先的高性能GaN芯片。
其次，镓奥科技专注于中大功率氮化镓模组的国产化替代，通过实现功率芯片与控制芯片的国产化，以及从芯片到模组的全流程设计优化，有利于加快技术迭代与增强性价比优势，为国产AI产业和新能源产业的快速发展提供了强有力的支持。
值得关注的是，镓奥科技研发的新国标电动自行车智能充电桩采用第三代半导体氮化镓技术，优势显著，其产品已落地见效。该充电桩采用交直流一体设计，能直接输出低压直流电，充电安全可靠，还具备多种电池保护功能。
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全磊光电：
GaN项目开工奠基
近日，据“投资厦门”官网报道，厦门市组织了重大项目集中开工活动，共有77个重大项目集中开工，总投资775亿元。其中包括1个氮化镓项目。
该项目为全磊光电化合物半导体外延片/芯片研发及产业化项目，位于火炬（翔安）产业区，由全磊光电股份有限公司投建，计划采购金属有机化学气相沉积设备等主要生产工艺设备、测试设备和配套设备设施，生产化合物半导体外延片/芯片产品。
项目建成投产后，全磊光电将从现有的砷化镓和磷化铟基外延片产品，逐步拓展至氮化镓和碳化硅产品，并应用于光通信、智能传感、微波射频、功率器件等领域。
官网显示，全磊光电成立于2016年，专注化合物半导体外延片材料的研发、生产和销售，主要为光电子和微电子行业客户提供光通信、数据中心、智能传感等应用的高品质外延片，在厦门总部建有化合物半导体研发中心和生产制造基地。
国镓芯科：
GaN项目已竣工验收
近期，据某建设项目环境信息公示平台文件透露，由雅安国镓芯科半导体科技有限公司建设的氮化镓生产基地项目（一期）已通过竣工环境保护验收，建成投产后将生产氮化镓衬底。
文件表明，该项目总投资为2700 万元，位于四川省雅安市，主要建设内容包括生产车间（生长区、HVPE区、装料取晶区）、原料储存区等配套工程，于 2024 年 1 月 1 日开工建设，2024 年 5 月10 日建成，投产后将形成年产单晶氮化镓衬底数千片的生产能力。
资料显示，国镓芯科成立于2022年6月，国镓芯科董事长乔焜博士在日本东北大学多元物质科学研究所长期从事氨热法氮化镓单晶生长研究，掌握氮化镓结晶速度优化、高品质氮化镓自发核结晶等核心技术。2020 年到 2022 年，国镓芯科完成了技术研发和生产验证，具备产业化条件。
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