美光宣布1γDRAM开始出货：引领内存技术突破，满足未来计算需求

随着AI在数据中心和端侧设备的普及，用户对内存的需求达到了前所未有的高度。美光迈向1γ DRAM节点，将助力客户应对亟待解决的核心挑战：

●  提升性能 — 基于1γ节点的DRAM性能卓越，能够支持从数据中心到端侧设备的多种内存产品实现计算扩展，满足未来AI工作负载的需求。

●  降低功耗 — 美光1γ节点采用下一代高K金属栅极CMOS技术，结合设计优化，功耗降低了20% 以上，并实现更优的散热。

●  提升容量密度产出 — 美光1γ节点采用EUV光刻技术，通过设计优化和制程创新，使单片晶圆的容量密度产出较上一代提升30% 以上³，从而实现更高效的内存供应扩展能力。

美光在经过多代验证的DRAM技术和制造策略的基础上，成功打造出优化的1γ节点。1γ DRAM节点的创新得益于CMOS技术的进步，包括下一代高K金属栅极技术，它提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸，从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。此外，通过采EUV光刻技术，1γ节点利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。同时，通过在全球各制造基地开发1γ节点，美光可为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。

1γ节点作为未来产品的基石，将被全面整合到美光的内存产品组合中：

●  数据中心 — 基于1γ的DDR5内存解决方案为数据中心提供高达15%的性能提升，增强能效，并支持服务器性能的持续扩展，使数据中心能够在未来的机架级功耗和散热设计中实现优化。

●  端侧AI — 1γ低功耗DRAM解決方案可提供更高的能效及带宽，提升端侧AI解决方案的用户体验。

·AI PC — 1γ DDR5 SODIMMs可提升性能并降低20%的功耗⁴，从而延长续航，优化笔记本电脑的用户体验。

·移动设备 — 1γ LPDDR5X 可提供卓越的AI体验，延续美光在移动设备领域的领先地位。

· 汽车 — 基于1γ的LPDDR5X内存可提升容量、耐用性和性能，同时传输速率高达9600MT/s。