14代酷睿i5有了超值版!比盒装便宜但比散片贵

硬件世界 2025-02-25 21:09

Intel在韩国推出了名为“Value Pack (Genuine)”的特别版处理器,可以理解为“原装超值包”,但不是最新的酷睿Ultra 200系列,而是14代酷睿,而且是主流的i5系列。

这是Intel首次在韩国市场推出这样的包装。

Intel在韩国发布14代酷睿i5超值版:比盒装便宜 但比散片贵

它们与常规盒装处理器的主要区别是变成了简装,盒子体积更小,样式更简单,颜色更平淡,甚至都没有Intel LOGO。

不过,它依然自带原装风扇。

可选型号只有两款,分别是i5-14600KF、i5-14400F。

价格方面,i5-14600KF售价284540韩元(¥1445),比盒装版的295700韩元(¥1502)便宜一些,但是比散片的261200韩元(¥1327)贵一些。

它的质保应该也是5年。

显然,它适合更追求性价比,但又想要官方品质和售后保障的用户。

Intel在韩国发布14代酷睿i5超值版:比盒装便宜 但比散片贵

坏消息是,分析师郭明錤带来的最新消息显示,Intel  18A(1.8nm)已处理器的良品率"令人失望",目前仅为20%-30%。

按照这位分析师的说法,Intel Panther Lake样品显示18A工艺良品率目前约为 20%-30%,可能无法在2025年下半年实现量产,据称该公司在转向大规模生产的过程中将面临巨大障碍。

Intel正努力尝试在Panther Lake SoC上实现换挡加速,这一制程目前正处于主流合作伙伴的验证阶段。 

郭明錤:英特尔18A处理器良品率令人失望 目前仅20%无法量产

“这次报告的良品率数据比我们几个月前看到的数据略有提高,此前据说只有10%,但是,对于Intel进行大规模生产来说,这个数字仍然远远不够,这让我们相信,2025 年下半年量产的时间表可能要错过了。”

之前Intel已经官方宣布,将在今年晚些时候发布新一代移动处理器Panther Lake,首次采用Intel 18A工艺,如无意外将隶属于酷睿Ultra 300系列。

领先台积电一年!Intel 18A已为客户项目做好准备

好消息是,Intel宣布,ASML首批两台高数值孔径(High-NA EUV)极紫光刻机已经在其工厂投入生产。

初步数据显示,其效率、可靠性比上一代EUV光刻机都有明显提升。

Intel资深首席工程师Steve Carson表示,Intel利用先进光刻机已在一季内生产3万片晶圆,这些晶圆可以产出数千颗计算芯片。

世界最先进!ASML High-NA EUV光刻机已在Intel投入生产:晶圆生产效率、可靠性翻倍

这两台光刻机是目前世界上最先进的光刻机,能够比之前的阿斯麦光刻机生产出更小、更快的计算芯片。

去年,Intel成为了全球首家接收这些光刻机的芯片制造商。此举是Intel的战略转变,该公司在采用上一代极紫外 (EUV) 光刻机方面落后于竞争对手。

Intel花了七年时间才将之前的机器全面投入生产,导致其领先优势被台积电超越。在生产初期,Intel曾因先前那些EUV机型的可靠性问题而遇到挫折。

不过Carson表示,ASML的高数值孔径(High-NA EUV)极紫光刻机在初步测试中的可靠性大约是前一代机器的两倍,“我们能以一致速度生产晶圆,这对平台是一大帮助”。

同时,新的光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作,从而节省时间和成本。Carson指出,Intel工厂的早期结果显示,高数值孔径(High-NA EUV)极紫光刻机只需要一次曝光和个位数的处理步骤,即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处理步骤的工作。

世界最先进!ASML High-NA EUV光刻机已在Intel投入生产:晶圆生产效率、可靠性翻倍

世界最先进!ASML High-NA EUV光刻机已在Intel投入生产:晶圆生产效率、可靠性翻倍

去年2月份,ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机。

据悉,一套High NA EUV光刻机的大小等同于一台双层巴士,重量更高达150吨,组装起来比卡车还大,需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输。

装机时间预计需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成。

世界最先进!ASML High-NA EUV光刻机已在Intel投入生产:晶圆生产效率、可靠性翻倍

根据爆料显示,High NA EUV的售价高达3.5亿欧元一台,约合人民币27亿元,它将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。

2023年12月,Intel率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机,台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年到货。

公开资料显示,NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标,直接决定了光刻的实际分辨率,以及最高能达到的工艺节点。

一般来说,金属间距缩小到30nm以下之后,也就是对应的工艺节点超越5nm,低数值孔径光刻机的分辨率就不够了,只能使用EUV双重曝光或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助

这样不但会大大增加成本,还会降低良品率。因此,更高数值孔径成为必需。

Intel表示,计划使用High NA EUV光刻机来协助开发其18A制程,该技术预计今年稍晚时随着新一代PC芯片进入量产。

此外,Intel计划在下一代14A制程中全面导入这款设备,但尚未公布该技术量产时间。


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