根据韩国科技评估与规划研究院（KISTEP）2月23日发布的一份调查报告指出，截至2024年，中国已在半导体技术的所有关键领域（ in all key areas）赶超韩国。
韩国媒体之所以得出如此悲观的判断，既是三星芯片代工被台积电长期压制所致；更是由于曾以存储芯片垄断全球70%市场的韩国，如今却深陷技术路径依赖与生态断层的泥潭。一场横跨NAND、DRAM与HBM三大领域的产业地震已悄然爆发。
一、NAND：中国产能碾压与技术颠覆
韩国三星与SK海力士曾长期主导全球NAND市场，但这一格局在2024年被彻底颠覆。长江存储凭借独创的Xtacking架构，将3D NAND堆叠层数推至294层，较三星同类产品数据传输速度提升40%，芯片面积缩减25%，生产成本降低30%。反观三星，其236层3D NAND因采用复杂的双堆栈结构，良率不足50%，远低于长江存储的80%以上。
根据TrendForce最新消息，三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。此外，传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议的谈判。三星、SK海力士之所以选择与长江存储合作，很大程度上是因为接下来的第11代和第12代V-NAND闪存都很难绕过长江存储混合键合技术专利。
也就是说，长江存储第五代3D TLC NAND闪存技术已经赶上甚至超过了全球主流存储厂商，正在成为全球NAND闪存市场的有力竞争者。
与此同时，价格战更是直击韩国命脉。2025年1月，通用NAND芯片价格较两年前暴跌47%，中国凭借“国家大基金+地方产业集群”的协同效应，以合肥长鑫、长江存储、福建晋华为核心的“铁三角”产能占全球份额的35%，直接拉低全球均价。
反观韩国则因环保政策与美国出口管制步履维艰——三星平泽工厂扩建计划拖延两年，SK海力士无锡工厂因EUV设备受限无法升级。至2024年第四季度，中国存储芯片全球份额从2022年的4%飙升至35%，而韩国双雄合计份额从70%滑落至50%。
二、DRAM：消费市场疲软
整个存储芯片市场以DRAM内存、NAND Flash闪存两类芯片为主，DRAM约占60%，NAND占40%。自从2022年下半年开始，手机、电脑等消费电子产品遇冷，存储市场出现严重的供过于求，触发存储芯片价格暴跌，导致存储厂商利润腰斩、股价大跌。2023年至2024年上半年，行业公司不得不通过打折降价、主动减产消耗市场现有库存等一系列手段“过冬”。
而DRAM市场曾是韩国半导体的“现金牛”，但2024年其结构性缺陷暴露无遗。消费电子需求持续低迷，DDR4内存价格较两年前暴跌60%。三星与SK海力士被迫减产传统DRAM，将产能转向HBM等高附加值产品，但此举导致消费级产品毛利率进一步下滑。
与此同时，随着中国本土DRAM芯片厂商长鑫存储的崛起，中国厂商开始更多的采用国产DRAM。中国买家扩大采用国产DRAM，这导致价格进一步环比下跌6%。数据显示，2025年1月份，DDR4 8Gb批发价为每个1.75美元，4Gb产品价格为每个1.34美元，皆为连续第五个月下跌，创近两年最大跌幅。
这也意味着，在传统DRAM市场中国势力正在迅速崛起，而作为传统霸主的三星和Sk海力士正在节节败退，于是只能将目光投向价值更高的HBM。
三、HBM：短暂繁荣与生态断层的致命伤
空前火热的人工智能大爆发，带动了HBM需求爆发式增长。根据咨询机构TrendForce的数据统计，在2023年时，HBM占DRAM总产值的只有8%，2024年激增至21%，到2025年占比预计将超过30%。
表面看，HBM是韩国最后的护城河——SK海力士占据全球53%的HBM市场份额，三星占38%，两者合计垄断91%。2024年SK海力士营收同比增长102%，HBM3E量产进度领先全球，并向英伟达批量供货。但这一繁荣背后隐藏着致命危机：韩国HBM生态严重依赖外部技术标准与客户绑定，而中国正通过全产业链协同发动降维打击。
如以AI服务器市场为例，英伟达Blackwell芯片因设计缺陷推迟发布，被迫改用HBM3E 12层堆叠方案，但中国寒武纪与华为已推出存算一体架构的HBM替代方案，能效比提升数倍。
因此，中国存储企业的崛起、AI芯片生态的降维打击，以及HBM赛道的结构性失衡，正将韩国半导体推向系统性崩溃的边缘。
而韩国半导体的崩溃绝非单一技术失守，而是“重硬件轻生态”模式与“全产业链协同”模式的终极对决。当中国以市场需求牵引技术标准、以国产化设备打破供应枷锁时，韩国仍困守于存储芯片的“舒适区”。从NAND的价格屠刀、DRAM的产能虹吸，到HBM的生态断层，这场溃退早已注定——或许2025年，全球存储半导体产业正在经历一场静默的权力更迭。
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