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(1)
在NMOS管反型层的形成的时候，在接触面附近，先是有负离子，然后才有自由移动的电子， 就如razavi在文献[1]中所说："Since the gate, the dielectric, and the substrate form a capacitor, as VG becomes more positive, the holes in the p-substrate are repelled from the gate area, leaving negative ions behind so as to mirror the charge on the gate."
嗯，其实我对负离子是有疑惑的，为啥这个负离子不能自由移动呢？昨天在看Ali教授的视频(N102)，有一刻，突然好像想通了。
虽然视频中没有非常明确地这样说，但是我想应该是这样的。
我试着用我有限的半导体物理的知识，来聊一聊。
(2)
常用的半导体材料，比如Si，在它还是本征半导体的时候，或者说非常纯净的时候，它的空穴数量和电子数量是相等的。
在T=0K的时候，电子都处在价带(valence band)中，当温度升高的时候，价带中的一些能量高的电子，会越过禁带(forbidden band)，到达导带(conduction band)。此时在价带中，产生空穴；在导带中，产生同样数量的电子。
所以，本征半导体中载流子（空穴和电子）是同等数量的产生的，而且是与温度相关，不实用。
所以就有了掺杂，也就是往纯净的半导体材料中，加一点东西。
(3)
但是加什么呢？
Si，元素周期表中第14号元素，共有14个电子，最里层2个，第二层8个，最外层4个。
所以硅原子有4个价电子，所以如果处理得当的话，硅能形成一种晶体结构，每一个硅原子周围都被其他四个硅原子包围。
这样，每个原子和他周围的四个邻居共享一个价电子，这样每个硅原子就都有了8个电子。
而这种由于共享价电子形成的连接，被称为"共价键".
。这~，虽然看了它的解答，也没把我说服。
参考文献：
[1] behzad razavi ，Design of Analog CMOS Integrated Circuits
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