在AI服务器的强劲需求带动下，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创1670亿美元的历史新高。
据CFM闪存市场数据显示，2024年四季度全球NAND Flash市场规模减少8.5%至174.1亿美元，DRAM市场规模环比增长13.5%至293.45亿美元，四季度全球存储市场规模再度环比增长4.2%至467.55亿美元。整体来看，全球存储市场规模在2024年一季度、二季度、三季度、四季度持续保持环比增长，也带动2024年全年DRAM和NAND Flash整体销售收入达1669.79亿美元，创造历史新高。
数据显示，2024年四季度全球DRAM市场规模293.45亿美元，环比增长13.5%，同比增长66.1%。AI服务器的热络持续推动对HBM以及高容量DDR5的需求，也推动三星和SK海力士的存储收入创历史新高，然而消费类需求却也出现持续的疲软，导致传统类DRAM销售收入的下滑。整体来看，四季度DRAM ASP环比依然保持增长，而整体DRAM bit出货量发生环比下滑。
此外，2024年四季度全球NAND Flash市场规模达174.1亿美元，环比减少8.5%，同比增长42.4%。因eSSD采购需求出现部分放缓，再叠加移动和PC应用市场需求的疲软，令四季度NAND Flash的ASP和bit出货量均环比减少。继三季度仅SK海力士出现环比下滑后，在四季度所有原厂的NAND Flash收入均环比发生不同程度的下滑。
与此同时，近日，韩国替代数据平台KED Aicel的最新数据显示，2025年1月，HBM缔造者、也是英伟达最大HBM供应商的SK海力士位于利川和清州的芯片工厂多芯片封装(MCP)的出口额同比大幅增长105.7%（出口额为12.9亿美元），但环比下跌29.8%（经工作日调整后下跌19.3%），这也是自2023年4月该公司开发出全球12层HBM3芯片以来，环比跌幅最大的一次。业内专家表示，SK海力士第一季度的HBM出货量很可能比2024年第四季度下降10%以上。此外，三星电子位于平泽、龙仁、水原、天安和牙山的芯片工厂1月MCP出口总量较上月也下降62.3%。
